Loni jsme zde měli zprávy o tom,
že by do poněkud uzavřeného pískoviště výrobců operačních
pamětí (DRAM) mohla
natlačit Čína a potenciálně s ním zamávat.
Nevím, jak moc tyto plány spějí k úspěchu, ale zdá se, že
by k takovému náhlému průlomu mohlo dojít u druhého
základního typu polovodičových pamětí: NAND flash. Tedy čipů,
nezbytně nutných pro SSD, mobily, paměťové karty a cokoliv
potřebujícího elektronické úložiště. Zdá se, že v tomto
oboru je možná Čína soběstačnosti – a s ní
i možnosti zatlačit na dosavadní výrobce – daleko
blíž.
Přiznám se, že je to pro mě úplná
novinka, ale podle webu DigiTimes by se v Číně měla
rozběhnout továrna na paměťové čipy dokonce ještě letos.
Podnik Yangtze River Storage Technology (zkráceně „YRST“) má
uvést do provozu výrobní závod používající 300mm křemíkové
wafery, který bude NAND vyrábět. Jde o první ze tří
výrobních linek, v letech 2018 a 2019 by měly být
spuštěny další a celkově má jít o investici stojící
24 miliard dolarů, za čímž zřejmě jsou i masivní státní
subvence. Výrobní kapacita má být 300 000 waferů měsíčně
(jen nevím jistě, zda je to číslo pro první závod, nebo pro
všechny tři plánované bloky).
Co je na této zprávě zajímavé:
YRST má údajně již zhruba za rok mít i technologii
vrstvených čipů flash, neboli „3D“ NAND. Ty by měly údajně
být ve výrobě možná už koncem roku 2017. Tím by se čínský
výrobce velmi rychle dotáhl na současnou špičkovou úroveň,
i když ještě nelze předvídat, jak na tom tyto čipy budou
s výkonnostními parametry, výtěžností, cenou a životností.
Nicméně implementace současné špičkové technologie pamětí
NAND by měla být docela zásadním znamením. Tato 3D NAND má být
32vrstvá jako čipy, které Samsung
uvedl v roce 2014 (první generaci uvedl už předtím s 24
vrstvami). Mezitím již tradiční hráči přišli i s 48vrstvými
čipy a výhledově by mohli mít i 64vrstvé (oznámili je
Samsung
a WD/Toshiba).
BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby
Technologie zřejmě není zcela
autonomně vyvinutá, údajně by měla být založena na licencování
od americké firmy Spansion, která vyrábí NAND a NOR flash
pro embedded aplikace a co je historicky zajímavé, vznikla
odštěpením flashové divize AMD v roce 2005 (jež sama
povstala jako společný podnik s Fujitsu v roce 1993).
V roce 2015 byla Spansion pohlcena firmou Cypress Semiconductor,
ale zřejmě mezitím došlo také k licencování technologie
vrstvených pamětí NAND Čínskému podniku XMC (Wuhan Xinxin
Semiconductor Manufacturing), z něhož v podstatě vzniklo
YRST vstupem holdingu Tsinghua Unigroup. Čínský zájem o paměti DRAM a NAND je vůbec
typický podobnými akvizicemi, například koupí americké firmy
ISS, kdy Číňané přeplatili výše zmíněný americký Cypress,
který měl taktéž zájem.
Mimochodem, YSRT nemá vyrábět jen
NAND, podobným způsobem kombinujícím akvizice a licence
čínské úřady a státní kapitál usilují také
o vybudování výroby DRAM coby druhého typu pamětí
potřebného „pro soběstačnost“. Také DRAM se má výhledově
vyrábět ve firmě YSRT, ale zdá se, že zde program není tak
blízko významné komerční produkci. Tshinghua Unigroup se snažila získat ke spolupráci Micron.
Z firmy XMC vznikly vstupem dalšího kapitálu nový podnik pro výrobu NAND a DRAM: Yangtze River Storage Technology
Jak moc čínští výrobci zasáhnou
do dnešního stavu produkce NAND a potažmo disků SSD, zatím
není moc snadné odhadnou. Těžko říct, jak na tom čipy budou
s cenou a kvalitou a zda budou konkurenceschopné ve
spotřebitelské oblasti. Je možné, že zpočátku budou mít
uplatnění třeba jen v okrajových částech trhu (embedded)
nebo tam, kde jim bude do plachet vát politika (tedy pro různé
lokální IT projekty v Číně). Zda se zde počítá s vývozní
expanzí na západ, uvidíme. Tak nebo onak by vstup YSRT na trh mohl
zvýšit konkurenci v oboru, ale také způsobit problémy pro
existující výrobce nevolatilních pamětí.
Zdroj: DigiTimes
