Mám v tom trochu hokej, nejdříve je horší intel s rozměrem cca 0,03um2, pak je lepší konkurence která má plochu cca 0,26um2 na buňku o šesti tranzistorech. Vždyť to je o řád horší, nebo si to mám dělit šesti a vykouzlit tam poníka aby to bylo menší než těch cca 0,03um2? GF má pak 269um2 to je asi překlep, ale kdo ví.
Asi by bylo vhodné k tomu dodat, že u všech výrobců se jedná o šesti tranzistorovou SRAM bit buňku a její plochu v um2. A porovnání je následující Intel: 0.0312 Samsung: 0.026 TSMC: 0.0272 a GF: 0.0269. A jak bylo řečeno, jde o nějaký parametr, který je zajímavý, ale reálně moc neznamená. Osobně si myslím, že kdo první přijde s náhradou křemíku za germanium, indium nebo snad grafen, dostane se do úplně jiné ligy.
Srovnáváte nesrovnatelné. Samsung své procesy zaměřuje na nízko taktované SoC, proces Intelu je více zaměřen na high performance.
Když na obou procesech vyrobíte velké x86 CPU, Intel na tom bude (frekvenčně) lépe. A nízko taktované ARM SoC bude mít na Samsungu o dost nižší spotřebu než na procesu Intelu. Oba procesy jsou dobré v tom, k čemu jsou určeny.
Říct, že 14nm Samsung je sprzněný, je stejné, jako si stěžovat, že nožem jde špatně řezat strom. Nůž není dělaný na řezání stromů, Samsung proces na velké x86 CPU.
Po pivu rozhodně ne, ale teda zrovna v těch číslech, který jsou tam nejdůležitější, je to dost nešťastná chyba. Ono bohužel když člověk kontrolujechyby, tak kouká po hrubkách a překlepech. Mě se pak často stane, že si nevšimnu špatných jednotek (třeba MB místo GB u harddisků). Ale tohle je teda trochu extrém.
Grafické karty snad taky patří do high performance, ne? Nebo snad GPU mají spotřebu nižší než 15W?
A i když porovnáš Samsung 14nm a TSMC 16 nm tak jsou na tom v grafikách stejně. GTX 1050 (Ti) je vyráběná v GF, a má snad (vzhledem k GTX vyráběným na 16nm u TSMC) příšernou spotřebu nebo nízké takty? Ne nemá, takže by mě zajímalo, v jakém ohledu je ten proces tak zprzněný.