Odpověď na názor

Odpovídáte na názor k článku 10nm proces Intelu prohrává v hustotě tranzistorů, nestačí na 7nm procesy konkurentů. Názory mohou přidávat pouze registrovaní uživatelé.

  • Tento text je již více než dva měsíce starý. Chcete-li na něj reagovat v diskusi, pravděpodobně vám již nikdo neodpoví.
  • 20. 2. 2018 8:35

    hh (neregistrovaný)

    Mám v tom trochu hokej, nejdříve je horší intel s rozměrem cca 0,03um2, pak je lepší konkurence která má plochu cca 0,26um2 na buňku o šesti tranzistorech. Vždyť to je o řád horší, nebo si to mám dělit šesti a vykouzlit tam poníka aby to bylo menší než těch cca 0,03um2? GF má pak 269um2 to je asi překlep, ale kdo ví.

    Asi by bylo vhodné k tomu dodat, že u všech výrobců se jedná o šesti tranzistorovou SRAM bit buňku a její plochu v um2. A porovnání je následující Intel: 0.0312 Samsung: 0.026 TSMC: 0.0272 a GF: 0.0269. A jak bylo řečeno, jde o nějaký parametr, který je zajímavý, ale reálně moc neznamená. Osobně si myslím, že kdo první přijde s náhradou křemíku za germanium, indium nebo snad grafen, dostane se do úplně jiné ligy.