TSMC původně plánovalo tyto technologie implementovat už u 32nm postupu, rozhodlo se ale jít bezpečnější cestou klasické technologie. Také 28nm proces bude nabízen i v klasické podobě, s osvědčeným low-k materiálem a oxynitridem křemíku (SiON) a s využitím DUV (Deep Ultra-Violet) litografie s vlnovou délkou ultrafialového světla 193 nm (AMD a IBM experimentují s EUV litografií).
Tento výrobní postup bude ale určen pro jednodušší čipy orientované na nízkou spotřebu – procesory pro mobilní zařízení, bezdrátové řadiče atd.). Pro výkonné čipy, čímž se myslí zejména grafická jádra, bude nabízena „high performance“ varianta 28nm postupu s technologií high-k/metal gate.
Přestože podle velikosti tranzistoru by 28nm postup měl být tzv. half-node (tedy mezistupeň mezi hlavními postupy, kam se řadí např. 90nm, 65nm a 45nm), TSMC označuje 28nm postup za „full node“. To proto, že zde nebude možnost optického shrinku, jako z 90nm na 80nm nebo z 65nm na 55nm. U „high performance“ verze je to dáno změnami ve stavbě tranzistoru, u „low power“ pro změnu tím, že 32nm v této podobě TSMC vynechá.
TSMC hodlá zahájit 28nm výrobu v první polovině roku 2010.
