Samsung se pochlubil, že vyrobil první DDR3 čip s kapacitou 4 Gbit, tedy 512 megabajtů. Vyšší kapacita jednoho čipu dovoluje snáze vyrobit vysokokapacitní moduly. Pro desktop momentálně nejsou v prodeji ani DDR3 moduly s kapacitou 4 GB, s novými čipy ale bude možné osadit až 8 GB do jednoho slotu (tedy, ani si nejsem jistý, zdali to některý z momentálně dostupných čipsetů/procesorů podporuje). Každopádně, servery mohou profitovat z 16GB modulů a při využití dual-die package, tedy dvou čipů v jednom balení, lze vyrobit modul s kapacitou 32 gigabajtů.
Nálepka říká, že na obrázku je 8GB PC3-12800 modul, tedy DDR3 s taktem 1600 MHz. A že by ta jedenáctka byla latence?
Čtyřgigabitové čipy jsou vyráběny 50nm postupem, stejně jako již existující 2Gbit a 1Gbit varianty v nabídce Samsungu. Tisková zpráva říká, že maximální rychlost je 1,6 Gbit/s (tedy efektivní takt 1600 MHz) a pracovní napětí 1,35 voltu, jak udává standard DDR3L (nicméně bych si nebyl tak jistý, jestli údaj o rychlosti a napětí platí zároveň).
Celé to má jen jediný háček: není známo, kdy začně masová výroba těchto čipů a kdy si zákazníci skutečně budou moci koupit jimi osazené paměťové moduly.
Zdroj: TechConnect Magazine, VR-Zone
