Odpověď na názor

Různé technologie, které si kladou ambice nahradit DRAM, jsou non-volatile. Má to význam v tom, že se ušetří ty prázdné cykly, kdy se data jenom refreshují. O konstrukci NAND toho moc nevím, to se přiznávám, nejsem studovaný elektrotechnik. Zato vím, že to vysoké napětí je paradoxně nutné kvůli malým výrobním postupům, dříve (před 5-10 lety) to bývalo méně a díky tomu buňky déle vydržely. Čím menší tranzistory, tím vyšší napětí je potřeba a to má asi vliv na počet P/E cyklů.