Na fotografii pořízené pracovníky HP Labs prostřednictvím atomového mikroskopu můžete vidět skutečnou strukturu 17 memristorů za sebou; šířka proužků je pro Vaši představu zhruba 50 nm, tedy přibližně 150 atomů
ReRAM je další generace polovodičových pamětí, která využívá materiály měnící odpor v závislosti na změnách elektrického napětí. Jde o nový typ nevolatilních (stálých) pamětí, které uchovají data i v případě, že nejsou pod proudem (obdobně jako NAND flash). Na rozdíl od flash z nich lze ale číst i zapisovat podstatně vyšší rychlostí při malém napětí. Spojují tedy výhody klasických RAM (rychlé čtení a zápis) a NAND flash (uchování dat i po odpojení od proudu). Oproti NAND flash mají mít i další podstatné výhody – menší náročnost na výrobu a výrazně větší životnost.
Přístupová doba má být 10 ns, což je jen kousíček za stávajícími pamětmi DRAM, radost mi naopak kazí udávaná životnost více než milion zápisů. Pokud by šlo čistě o náhradu NAND flash (zejména MLC), byl by to obrovský skok k lepšímu. Jestliže se ale budeme o ReRAM bavit jako o náhradě DRAM, nejeví se toto číslo zdaleka tak vysoké. Zatím ale asi nemá valný význam spekulovat o životnosti produktů, které se objevují ve zkušebních prototypech.
Prototyp je vyrobený 50nm procesem, pomocí kterého vzniklo pole buněk o celkové kapacitě 64 megabitů. Podle vyjádření Epidy dosahuje jedné z nejvyšších hustot, které lze u ReRAM v současnosti docílit.
Na vývoji prototypu spolupracovala s japonskou veřejnou organizací New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), společností Sharp, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) a Tokijskou univerzitou.
Elpida i nadále pokračuje ve vývoji, jehož nejbližším cílem je masová produkce ReRAM s kapacitou 1 gigabit (128 MB) využívající 30nm výrobního procesu. Tisková zpráva naznačuje, na koho Elpida cílí v první řadě: pokud se podaří dosáhnout nízkých výrobních nákladů, ReRAM mohou výrazně přispět ke snížení spotřeby u mobilních zařízení, jako jsou smartphony, tablety a ultra-tenké lehké notebooky, kde by měly posloužit jako atraktivní úložné zařízení.
Na vývoji pamětí založených na memristorech pracují i další výrobci, např. HP ve spolupráci s Hynix nebo Samsung. A pracuje se i na alternativních technologiích, které by měly sloužit k podobnému účelu – FeRAM (FeTRAM), PRAM nebo MRAM.
Zdroj: TZ Elpida Memory
