Zvažovaný 22nm FD-SOI výrobní postup bude také levnější než FinFET a zároveň nabízí podobné vlastnosti, alespoň v to věří GlobalFoundries. Náklady na výrobu tímto výrobním procesem jsou odhadovány zhruba na úrovni prověřeného planárního 28nm výrobního procesu. FD-SOI je také flexibilnější než FinFET a je do jisté míry kompatibilní s předchozími BULK technologiemi. FinFET naopak nabízí nižší spotřebu a vyšší takty, což je vykoupeno vyšším důrazem na kvalitu návrhu a výrobního procesu.
Jason Gross, mluvčí společnosti GlobalFoundries se k tomuto tématu vyjádřil ve smyslu, že zvažují pokročilý výrobní postup na bázi FD-SOI, ale v současnosti ještě nejsou připraveni sdělit konkrétní plány. Global Foundries však věří, že správná nabídka FD-SOI procesu může být pro zákazníky zajímavá a to především, co se týče malých čipů a produktů, u nichž je kladen důraz na nízké pořizovací náklady. „FD-SOI si,“ dle slov Jasona Grosse, „získal zájem díky tomu, že dokáže nabídnout podobné vlastnosti jako FinFET a náklady na výrobu čipu jsou srovnatelné s 28poly/SiON, a navíc může být optimalizován na dle potřeby výkonu tak, aby uspokojil potřeby různých zákazníků.“ Navíc při tlaku na cenu je možné upravit výrobní postup tak, že čip bude mít sice horší vlastnosti, ale bude levnější. FD-SOI je také méně komplexní než FinFET a nevyžaduje takové množství litografických masek.
Stále není zřejmé, jestli GlobalFoundries skutečně nabídne výrobu na bázi 22nm FD-SOI procesu svým zákazníků, ale vše nasvědčuje tomu, že se takovým scénářem velmi vážně zabývají. Otázkou zůstává, za jak dlouho se jim podaří uvést tento výrobní postup na trh.
Znalým angličtiny doporučují přečíst článek na webu Tech Design Forum, kde stručně a jasně porovnávají výhody a nevýhody FinFETu a FD-SOI. Velice zajímavá je také prezentace ChipExu, z dubna loňského roku, kde se také věnují problematice FD-SOI vs. FinFET.
Zdroj: KitGuru, Tech Design Forum
