Jihokorejská společnost SK Hynix tento týden představila paměťový čip s nejvyšší hustotou, vůbec první 1Tb TLC NAND. Dosavadní paměti o stejné kapacitě využívaly architekturu QLC se zápisem čtyř bitů na jednu buňku, Hynixu se totéž podařilo vměstnat do odolnějších tříbitových buněk.
Výrobce si pomohl dvěma triky. Zvýšil počet vrstev na čipu z 96 na 128 a zároveň implementoval nový design 4D NAND s technologií Periphery Under Cell, díky němuž mohl komunikační obvody (periferie) obsluhující záznamové buňky integrovat do nejspodnější vrstvy. V dřívějších návrzích periferie obklopovaly buňky a zvětšovaly půdorys čipu. Při využití PUC je výroba dle Hynixu o 5 % efektivnější a společně s přidáním dodatečných vrstev se celková efektivita waferu zvýšila o 40 %.
Čipy budou také rychlejší, předchozí verze měla propustnost 1200 Mb/s, aktuální šestá generace ji zvedá o 17 % na 1400 Mb/s. Spotřeba přitom klesne o 20 %.
Do mobilů, PC i datacenter
První 128vrstvé NAND čipy se na trhu objeví v podobě UFS 3.1 (zatím existují jen specifikace UFS 3.0) pamětí určených pro špičkové mobily a tablety. Celková kapacita bude až 1 TB díky seskupení osmi 1Tb čipů do jednoho pouzdra. Hynix ale plánuje vyrábět také spotřebitelské 2TB SSD s vlastním řadičem a 16- a 32TB NVMe SSD určené do datových center. Veškeré produkty prý budou hotové příští rok. Předstihne tak Toshibu, která 128vrstvé čipy s obdobným designem jako PUC představila letos v březnu, ale která velkvýrobu zahájí až koncem 2020.
TIP: Samsung vyrobil první 1TB čip pro mobily
To se již Hynix bude upírat k nové metě. Korejci uvedli, že dalším cílem je výroba 176vrstvých 4D NAND flash čipů.
Zdroj: Hynix
