Hynix konkuruje Samsungu s 64Gb NAND flash čipy

10. 8. 2010

Korejský výrobce paměťových čipů Hynix Semiconductor oznámil, že započal s masovou výrobou NAND flash čipů 20nm výrobním procesem. Testovací provoz probíhal již od února, nyní v továrně M11 v jihokorejském Cheo ngju začíná výroba 300mm (12") waferů novou technologií naostro.

NAND flash čipy Hynix vyráběné 20nm technologií

Vyráběny mimo jiné budou 64Gb (8GB) čipy, Hynix tak začne v tomto výrobním procesu a s touto kapacitou NAND flash konkurovat Samsungu. Nové čipy nabízí oproti starším (32Gb) dvojnásobnou kapacitu a samotný přechod na 20nm technologii znamená, že oproti 30nm se produktivita zvýší o 60 %.

Zaměstnanci korejského Hynixu s wafery a čipy vyráběnými 20nm technologií

Společnost současně oznámila úspěšný vývoj NAND flash výrobků kombinujících ještě starší 32Gb čipy s řadiči mladé izraelské firmy Anobit. V krátké době budou i v těchto produktech staré čipy nahrazeny těmi novějšími, validace má proběhnout v září tohoto roku.

Zdroj: DigiTimes