Současné phase-change paměti, které už pronikají na trh v podobě prvních vlaštovek, trpí docela zásadním neduhem. Zapsaný stav materiálu totiž „nedrží“, časem sklouzává k jinému stavu a jinému elektrickému odporu, což vede k chybám čtení. Kvůli tomuto jevu zatím nebylo možné vyrobit spolehlivou phase-change paměť, která by do jedné buňky ukládal více než jeden bit dat. Dalším problémem jsou odchylky vzniklé už při zápisu: dvě buňky, na které je zapsána stejná hodnota bitu, vykazují různé úrovně elektrického odporu.
Vědcům ze společnosti IBM se podařilo vyřešit oba problémy. Při zápisu používají modulaci signálu, která zabraňuje sklouzávání materiálu do jiných stavů a zápis je prováděn iterativně: na buňku je opakovaně přiváděno napětí a měřen její odpor, dokud není dosaženo přesně požadované hodnoty. Díky tomu si výzkumníci mohli dovolit sestrojit phase-change paměť, která do jedné buňky zvládne uložit dva bity. Podle toho, kolik materiálu je v krystalickém a kolik v amorfním stavu, rozlišuje tato buňka čtyři úrovně.
IBM věří, že phase-change paměti vytlačí dnes běžně používaný typ flash. Už v roce 2016 by se PCM měly prosazovat v cloudových výpočetních centrech. Výhody jsou zřejmé: phase-change paměti snesou miliony zápisových cyklů oproti tisícům až desítkám tisíc u technologie Flash a oproti ní mají také stokrát nižší latenci při zápisu (i při použití iterativního procesu zápisu).
Zdroj: Engadget
ČLÁNKY DO MAILU