Inotera a 42nm DRAM, konkurence Samsungu

31. 5. 2010

Inotera Memories, společný podnik Micron Technology a Nanya Technology s měsíční výrobou 130 tisíc 12'' waferů, se ústy svého ředitele Jih Liena pochválil s tím, že chce začít s přechodem na 42nm technologii ještě v září tohoto roku. To je dva měsíce před původním plánem. Společnost tak chce konkurovat Samsungu, který sice již před drahnou dobou přešel na 40nm výrobní proces, na druhou stranu se ale teď dle Liena více zaměřuje na získání tržního podílu spíše v oblasti NAND flash technologie.

Inotera se před nedávnou
dobou propadla do červených čísel kvůli přechodu z drážkové na vrstvenou metodu
výroby kondenzátorů tvořících jednotlivé buňky. Drážkové kondenzátory sice
zabírají méně místa, na druhou stranu se ale u nich zdá přechod na menší
výrobní technologie složitější. V dubnu tedy začala výroba 50nm vrstvenou
technologií, která má ve třetím čtvrtletí tvořit už polovinu výroby a mít
významný pozitivní dopad na zisk firmy.

Současně s tím tedy začne
přechod na 42nm technologii, kde se očekávají první vzorky ještě koncem
letošního roku. Již potřetí byl také zvýšen celkový výhled investičních nákladů
z 33,9 mld. na 37,1 mld. Kč. za rok 2010.

Zdroj: DigiTimes