Jsou dvě zásadní věci. Počet vrstev, které se pomocí masek vytváří a poté počet expozic každé té vrstvy. Počet expozic může být u každé vrstvy jiný, navíc se u dnešních procesů kombinují vrstvy vyráběné EUV a neEUV. Počet EUV vrstev se zvyšuje se zmenšujícím se výrobním procesem. U TSMC má N7+ proces 4 EUV vrstvy, N6 5 vrstev, N5 pak 10 vrstev a u 3nm se očekává 20 vrstev.
Hlavní výhoda zavádění EUV byla právě v tom, že omezila tu několikanásobnou expozici, která už byla naprosto nezbytná u předchozích litografií. U 5nm procesu už ASML má v návrhu možnost i dvojnásobné expozice, byť se stále počítá i s jednonásobnou. U 3nm už by to chtělo trojnásobnou.
Do toho vstupuje právě to "high-NA", tedy v podstatě chemikálie s lepšími vlastnostmi, které dokáží eliminovat tu potřebu vícenásobné expozice. Ty samy o sobě nemají s ASML moc společného (byť na jejich vývoji a testování spolupracuje).
Největší průšvih té EUV litografie je ale cena. S přibývajícím počtem vrstev roste buď potřebné množství osvitových strojů nebo klesá výrobní kapacita linky. A pak třeba TSMC musí řešit, jestli ty stroje, které ASML nestíhá vyrábět (a navíc nejsou zrovna levné), nasadit na ty pokročilejší výrobní procesy s menší výslednou kapacitou výroby, nebo je použít na trochu horším procesu, ale s výrazně vyšší kapacitou výroby.
Proto to taky vypadá, že si TSMC ještě dlouho ponechá klasický N7 proces, kde EUV stroje nepotřebuje vůbec a může tak snáze navyšovat jeho výrobní kapacitu.