Intel a Micron: flash na 25nm s trojúrovňovými buňkami

18. 8. 2010

Počátkem letošního roku zahájil IM Flash Technologies, společný podnik Intelu a Micronu, výrobu paměťových čipů MLC NAND flash 25nm postupem. Výsledný poměr kapacity k ploše čipu byl úctyhodný i přes to, že byly použity standardní buňky schopné uložit dva bity.

Jak vidíte v tabulce, víceúrovňové buňky se stávají prakticky standardem – všichni velcí výrobci dokáží vyrobit čipy s 3 bpc, Sandisk dokonce se čtyřmi. Nyní Intel s Micronem tuto technologii aplikovali i na svůj nejpokročilejší výrobní proces (25nm), v současné době mají k dispozici první vzorky čipů s kapacitou 64 Gb (8 GB) a koncem roku by se měla rozjet masová výroba.

Zatímco čip stejné kapacity měl při použití dvouúrovňových buněk velikost 167 mm², nyní je to pouze 131 mm². Společnost tyto čipy nazývá „TLC NAND Flash“ (triple level cell). Osmigigabajtové čipy najdou využití v paměťových kartách, USB klíčenkách a spotřební elektronice.