Samsung, Micron a Elpida, tři výrobci DRAM pamětí, se přihlásili, že jejich DDR3 paměti již obdržely patřičné certifikace od Intelu. U Samsungu jsou to moduly s takty 800 a 1066 MHz, které používají čipy vyráběné 60nm postupem, na stránkách Samsungu jsem žádné detaily nenašel.
Od Elpidy jsou to moduly s kapacitami 512, 1024 a 2048 megabajtů, taktéž taktované na 800 a 1066 MHz. V plánech společnosti jsou i moduly na frekvencích 1333 a 1600 MHz, těch se ale zřejmě dočkáme, až bude do praxe nasazen 50nm výrobní postup, tedy až v příštím roce.
Micron se pochlubil, že také jeho produkty prošly validačním procesem u Intelu, stejně jako v případě Elpidy se jedná o kapacity 512MB, 1GB a 2GB moduly. Zároveň firma oznámila, že již vyrábí vzorky SO-DIMM DDR3 modulů s kapacitou 4 GB za použití 2Gbit čipů a že tyto jsou momentálně testovány u Intelu. Moduly, které má Micron v nabídce, mají takt maximálně 1066 MHz.
Zdroj: TechConnect Magazine 1 | 2, The Inquirer, Micron
