Dle zprávy publikované v časopise Nature Photonics měl prototyp kapacitu 4 bity a pracoval s přenosovou rychlostí 40 Gb/s. Zajímavá je jeho extrémně nízká spotřeba elektrické energie 30 nW. I když se stále jedná o prototyp velmi vzdálený komerčnímu použití, poskytuje dostatečný základ pro rozvoj použitelnější paměti o-RAM s kapacitou několika kb nebo Mb. Výzkumníci NTT Labs věří, že 100kb o-RAM paměť pro libovolné optické routery vyrobí už v roce 2020, 1Mb čip pak v roce 2025.
Každou paměťovou buňku nové o-RAM tvoří nanofotonický krystal z fosfidu india (InP), který obsahuje malý proužek GaAsP (fosfid galia a arsenu). Tok laserového světla je ovládán prostřednictvím malých otvorů na vnější části buňky, zatímco uprostřed krystalu je cestička pro vstup a výstup světla. Každá buňka může reprezentovat hodnoty 1 nebo 0, podle toho, jestli světlo pouští dál, nebo jej blokuje pomocí změny indexu lomu (refrakčního indexu) materiálu. Jakmile je hodnota nastavena, udržuje zdrojové světlo z laseru požadovaný refrakční index. Prototyp dokázal udržet zapsaná data po dobu deseti sekund, což není mnoho, u dřívějších prototypů to ale bylo maximálně 250 ns.
Zdroj: TomsHardware
