To co pises nastesti neni pravda. S prichodem stacked flash velikost hradla treba u samsungu (ale i u ostatnich vyrobcu odpovida 40nm), takze zivostnost TLC na teto technologii se uvadi 1000 write-erase cyklu. U QLC napr. Toshiba uvadi totez
https://www.cnews.cz/qlc-nand-mozna-nebude-tak-zla-podle-toshiby-vydrzi-1000-cyklu-bude-v-beznych-ssd/
Otazka je spis jak se disk bude chovat treba v druhe polovine zivotnosti, jak jsem psal vyse.