Zvýšení plochy křemíku pro odvod tepla není ten primární důvod.
Primární důvod jsou jiné (rychlejší, vyšší voltáže-schopné) tranzistory a silnější metalické propoje, které musí přenášet mnohem větší proudy (ty proudy jsou třeba 4x vyšší než u stejného High-density procesu, protože rychlejší tranzistor potřebuje vyšší napětí aby se rychleji přepnul, a vyšší napětí znamená vyšší proudy) a celé to zabírá o hodně více plochy přestože se jedná o stejné 3nm třeba.
Někdy se používá ještě dark silicon pro zlepšení chlazení.