Micron HMC: paměť 20× rychlejší, 10× úspornější

29. 8. 2011

Sdílet

 Autor: Redakce

Výrobce DRAM čipů Micron tvrdí, že vyvinul operační paměť, která bude dvacetkrát rychlejší než dnešní DDR3, spotřeba při stejné kapacitě bude desetkrát nižší a taktéž nároky na fyzický prostor budou oproti dnešním serverovým RDIMM desetinové. Odvážná to tvrzení, že? Podívejte se sami na propagační video:

" width="600" height="367" frameborder="0">

Klíčovým prvkem technologie nazývané „Hybrid Memory Cube“ je stohování paměťových čipů na sebe s využitím můstků procházejících skrz čipy (through silicon via). Micron tvrdí, že operační paměti narážejí na zeď výkonu a efektivity, která jejich současný vývoj brzdí tak, že každá další generace přináší jen minimální zlepšení. Je celkem logické, že naskládáním čipů na sebe (jinak se to nazývá také 3-D stacking) lze docílit daleko vyšší kapacity v jednom modulu, odtud tedy pramení slibovaná desetina prostoru.

S výkonem a energetickou efektivitou je to trochu složitější. Úsporný provoz Micron opět připisuje stohování čipů.

Ve druhé polovině videa se pak dozvíte, že vysoké propustnosti bylo docíleno použitím rychlého sériového rozhraní (namísto dnes běžného paralelního) a toto rozhraní umožnilo zkrátit vodiče k paměťovému řadiči. Paměti DDR4 budou taktéž používat sériové rozhraní, avšak o tomto nezaznívá ve videu ani slovo. Naopak, HMC je prý něco, co jsme ještě nikdy neviděli.

ICTS24

Paměť typu Hybrid Memory Cube bude možno použít nejen v podobě klasických modulů (tento způsob Micron nazývá jako „far memory“, tedy vzdálenou paměť, s výhodou v energetické efektivitě), ale také jako „near memory“, tedy paměť v těsné blízkosti procesoru, který ji využívá. Provařeným příkladem čipu, který takovou blízkou paměť používá, je grafické jádro Xenos v Xboxu 360. Tam se samozřejmě jedná o obyčejnou embedded DRAM, HMC od Micronu slibuje vyšší kapacitu a výkon, než jakých lze docílit dnes.

Zdroj: NordicHardware