Vyšší kapacita
Tam, kde klasické flash paměti používají tranzistory, které musí být připojeny ke třem vodičům, grafenová paměť používá „přepínače“ ovladatelné pouze dvěma vodiči. Díky tomu se paměť dá snadno vrstvit na sebe. Zároveň zmíněné „přepínače“ mohou být menší než 10 nm, zatímco dnešní tranzistory v křemíkových mikročipech jsou velké řádově desítky nanometrů a kam až bude možné křemíkové tranzistory zmenšovat, zatím není zcela jasné.
Nízká spotřeba
Pokud je paměťové zařízení připojeno k napájení, ale zrovna není využíávno, obvody stále protéká nějaký proud – ten do vypnutých obvodů uniká (přeskakuje) z těch zapnutých. Paměťové buňky z grafenu ale tímto jevem prý trpí minimálně: uniklý proud ve vypnutém obvodu je milionkrát menší, než proud protékající zapnutým obvodem. U technologie Phase Change RAM, o které se také uvažuje jako o možném nástupci flash a případně DRAM pamětí, je unikající proud desetinový.
Odolnost
Grafenová paměť odolala teplotám -75 a 200 stupňů Celsia a nepoškodila ji ani radiace, což z technologie dělá vhodného kandidáta na použití v extrémních podmínkách. Zdá se, že s počtem přepsání (palčivý to problém pro flash) na tom grafenová buňka také nebude zle: v laboratoři prý byla testována dvaceti tisíci přepsání a nejevila známky degradace.
Co se rychlosti přepínání týče, tu prý vědci s vybavením ve své laboratoři nedokázali změřit, z čehož můžeme odvodit buď to, že grafenová paměť je velmi rychlá, anebo že na Rice University nemají peníze na pořádné přístroje.
Profesor James Tour také přemýšlel, jak by se paměti z grafenu daly vyrábět ve velkém měřítku. Jako schůdný se jeví postup chemického kondenzačního nanášení (chemical vapor deposition), který se dnes běžně používá při výrobě křemíkových mikročipů.
Grafenová paměť se nezdá být v žádném pokročilém stádiu vývoje. Kdy a jestli vůbec ji tedy uvidíme na trhu, je zatím ve hvězdách.
Zdroj: techPowerUp!
ČLÁNKY DO MAILU