Ačkoliv na trh ještě stále přicházejí nová SSD s planární NAND, letos by už měla být běžná modernější vrstvená NAND, slibující lepší výkony i životnost. Postupně bychom snad měli vidět celistvější přechod na 3D čipy, jelikož nové generace pamětí flash jsou vyvíjené právě jako vrstvené. Krok tímto směrem by snad mohla být i nová generace vrstvené NAND Hynixu, kterou tento korejský koncern oznámil minulý týden. Ta přináší zatím největší počet „pater“, jaký jsme u NAND viděli. Hynix jako první komerčně dostupnou generaci 3D NAND vyráběl 36vrstvé 128Gb čipy typu MLC (interně by mělo ale jít už o druhou, ta první byla jen zkušební). Poté přišly 48vrstvé čipy se zápisem TLC a kapacitou 256 Gb. Firma nyní oznámila následující generaci, podle interního označení již čtvrtou, která přinese velké zvýšení počtu vrstev a s ním i zvýšení kapacity. Vrstev se záznamovými buňkami má v těchto čipech být 72, čímž by Hynix o krok předstihl Samsung a WD s Toshibou. Tito výrobci již představili paměti s 64 vrstvami a jak Samsung, tak společný podnik Toshiby a WD by je snad už nyní měli vyrábět.
32GB a 64GB čipy
Hynix pojal 72vrstvou generaci čipů jako hru o dvou dějstvích. Začne nejprve konzervativnějším produktem – TLC čipy s kapacitou 256 Gb (gigabitů), neboli 32 GB. Tato NAND má být dostupná již v druhém čtvrtletí letoška a v po něm následujících měsících by se tedy mohla objevit v SSD nebo jiných úložištích, jako jsou telefony či paměťové karty. Při této kapacitě by čipy měly dobře pasovat do současných kategorií SSD, se čtyřmi čipy pro vytvoření 120/128GB disku a osmi čipy pro 240–256GB model. V současnosti jsou mainstreamem 128Gb čipy, přičemž 256Gb je pomalu začínají nahrazovat.
Zhruba s půlročním zpožděním (v Q4 2017) se pak má začít vyrábět druhý, větší 72vrstvý čip. I ten bude mít zápis typu TLC, ale bude určen pro dražší zařízení s vyšší kapacitou. Jeden čip již pojme 512 Gb, tedy 64 GB, což dovolí zdvojnásobit kapacitu úložišť. Hynix plánuje tuto NAND balit do pouzder s až 16 čipy a celkovou „ložnou plochou“ 8192 Gb (1 TB). Z těchto pouzder tedy bude možné tvořit SSD s velmi vysokou kapacitou, případně třeba moduly M.2 s kapacitou 2 TB v malém jednostranném formátu pro notebooky.
O dalších technických podrobnostech této NAND toho příliš nevíme, zatím například těžko soudit něco o její životnosti. Podle webu AnandTech by měl výkon těchto čipů podpořen změnou organizace, kdy velikost bloku vzroste o 50 % z 9 MB v předchozích generacích na 13,5 MB. Toto by se mělo týkat obou kapacit. Hynix je pravděpodobně bude vyrábět souběžně i po startu výroby 512Gb verze, jelikož 256Gb čipy budou kvůli paralelismu vhodnější pro nižší kapacity SSD (128GB, ale i 256GB modely).
Nicméně časem by dostupnost větších čipů mohla skrze obecné zvyšování kapacit vést k jejich uplatňování i v levnějších SSD a zároveň ke snižování cen za gigabajt. Zvyšující se počet vrstev by také mohl 3D NAND eventuálně zlevnit pod úroveň starších planárních čipů. Zda je něco takového reálné již s touto generací, ale těžko říct. Úplný přechod z planární NAND asi nastane nejdřív za pár let.
