Prototyp paměťového modulu od Elpidy nese šestnáct 30nm čipů po 2 Gb, celkem tedy 4 GB paměti. Elpida, japonský hlavní výrobce RAM, přesedlává u pamětí ze 40nm na 30nm výrobní proces. Menší čipy dovolí osadit na modul více paměti, snižují spotřebu a dovolují také vyšší takty.
Čtyřgigabajtový modul se vkládá do 204pinového slotu SO-DIMM DDR3 a pracuje na 1866 MHz efektivně. Při takto vysokém taktu si ale uchovává velmi nízkou spotřebu, oproti přechozí 40nm generaci by si měl říci v zátěži o 20 % méně a v klidu dokonce o 30 % méně proudu.
Paměti samozřejmě nepatří k tomu nejžravějšímu v noteboocích, ale v kombinaci s ULV procesorem se vám bude každý miliwatt dolů hodit, výdrž na baterii nepatrně stoupne a paměti se nebudou tolik zahřívat, což pro ně bude "zdravé". A hlavně nebudete nadávat na nízkou kapacitu ani propustnost systémové RAM. Nový výrobní proces půjde samozřejmě použít i na paměti DDR3L, se kterými se teoreticky budeme moci setkat i v tabletech a smartphonech.
S masovou výrobou 30nm 4GB SO-DIMM modulů Elpida začne zřejmě v prvním kvartálu nadcházejícího roku 2011.
Zdroj: techPowerUp!
ČLÁNKY DO MAILU