už si nepamatuji přesně, se stávajícími skenery je to cca 800mm2, s těmi, co se testují na 3 nanometry (high-NA EUV) by to měla být polovina, pořád ale je možné vyrobit větší čip "sešitím" ... myslím, že někde tady byly ty info ... https://semiengineering.com/multi-patterning-euv-vs-high-na-euv/