Qimonda včera pořádala tiskovou konferenci, na které se mluvilo mimo jiné o nových postupech výroby DRAM čipů. Společnost představila plán, podle kterého do roku 2011 přejde na 30nm výrobu. A hovořilo se i o dalších technologiích, zejména pak o "Buried Wordline DRAM".
Podle popisu výhod Buried Wordline DRAM se zdá, že jde o nějakou temnou magii. Posuďte sami: technologie má přinést nižší spotřebu energie, což ji předurčuje pro použití v mobilních zařízeních, zároveň má ale dosahovat vysokého výkonu.
Strukturu DRAM čipu tvoří mřížka "bitline" a "wordline", na jejichž průsečících jsou samotné bity a také kondenzátory. Běžně mají kondenzátory kontakt s bitline i wordline, u Buried Wordline DRAM se ale wordline nachází v nižší vrstvě a s kondenzátorem kontakt nemá. Díky tomu je odpor celého obvodu nižší a odtud plyne nižší proudový odběr. Použity jsou běžné kondenzátory, takže cena se nešplhá do závratných hodnot. Technologie Buried Wordline bude nejprve implementována u 65nm procesu, ale počítá se s jejím nasazením u technologií až v řádu 30-40 nanometrů.
V roce 2011 se chystá další inovace, a to přechod na 4F2 paměťovou buňku. Toto číslo udává velikost paměťové buňky - dnes se běžně používá 8F2 nebo 6F2. Do technických podrobností nemá smysl zabíhat, vězte ale, že čím nižší F2, tím je buňka menší. Implementace s sebou ale nese jisté překážky, jejichž překonání stojí další tranzistory, a proto má snižování F2 větší opodstatnění u pokročilejších výrobních postupů.
Zdroj: Qimonda
