Názor k článku Samsung odhaluje 3nm výrobní proces s novými tranzistory MBCFET. Už má funkční vzorky od Jan Olšan - "Nemá Intel větší hustotu transistorů na 14nm než...

  • 17. 5. 2019 15:29

    Jan Olšan (neregistrovaný)

    "Nemá Intel větší hustotu transistorů na 14nm než konkurence na 10?"
    Rozhodně, 16nm/14nm od Foundry firem nebylo tak pokročilé, jako 14nm Intelu, asi by se dalo zjednodušeně říct, že Intel byl/je reálně o generaci dál. A může to platit i teď, tj. 10nm proces bude konkurenceschopný proti 7nm od TSMC/Samsungu (uvidíme, zatím pořád nebyly vydané žádné čipy, které by do mohly dokázat, Cannon Lake napůl nefungovalo). Samozřejmě tam můžou být odchylky, např. foundries budou mít na 10nm lepší hustotu a třeba i efektivitu, Intel zase na 14nm lepší výkon (takty). Jestli Intel dosáhne lepší takty na 10nm než TSMC na 7nm... no, to je dobrá a nezodpovězená otázka :)


    Ovšem teď těch dejme tomu srovnatelných 7nm TSMC už půl-tři čtvrtě roku je na trhu v koncových zařízeních, kdežto Intel asi první reálné 10nm produkty vydá v Q3, o rok později. Takže i se započítáním tohohle faktoru se Intel dostal z vedoucí pozice do skluzu.