Rok po uvedení nového rozhraní UFS 3.0, které do mobilních zařízení přinese úložiště s propustností až 2,3 GB/s, přichází i první takto vybavený čip. Vyrobil jej Samsung a má kapacitu 512 GB. Korejská společnost do jednoho pouzdra uložila řadič a osm 512Gb křemíků, každý je tvořen z 96 vrstev V-NAND pamětí páté generace.
Rychlosti nedosahují teoretického maxima samotného rozhraní, ale násobí současné hodnoty. Při sekvenčním čtení Samsung slibuje až 2100 MB/s, u zápisu 410 MB/s. V náhodném přístupu dosahují čtení i zápis přes 60 000 IOPS. To za sebou spolehlivě nechává všechny dosavadní čipy.
Podporu UFS 3.0 již mají moderní čipsety Snapdragon 855 a Exynos 9820, první mobily jimi vybavené ale zatím využívají starší rozhraní UFS 2.1. Na něm Samsung v lednu představil první mobilní 1TB flashovou paměť, kterou již využívá v telefonu Galaxy S10+.
Samsung již spustil velkovýrobu 128- a 512GB čipů eUFS 3.0, v druhé polovině roku nabídne i 256GB a 1TB model. Evidentně tak budou připraveny pro Galaxy Note10.
| Úložiště | Sekvenční čtení | Sekvenční zápis | Náhodné čtení | Náhodný zápis |
|---|---|---|---|---|
| 512GB eUFS 3.0 (02/2019) | 2100 MB/s | 410 MB/s | 63 000 IOPS | 68 000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1 (01/2019) | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58 000 IOPS | 50 000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (11/2017) | 860 MB/s | 255 MB/s | 42 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 256GB UFS Card (07/2016) | 530 MB/s | 170 MB/s | 40 000 IOPS | 35 000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (02/2016) | 850 MB/s | 260 MB/s | 45 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (01/2015) | 350 MB/s | 150 MB/s | 19 000 IOPS | 14 000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB/s | 125 MB/s | 11 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB/s | 90 MB/s | 7 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB/s | 50 MB/s | 7 000 IOPS | 2 000 IOPS |
ČLÁNKY DO MAILU