První testy ukazují, že evropské verze Galaxy S10 budou horší než americké

28. 2. 2019

Sdílet

Již od roku 2011 platí, že Samsung vydává rozdílné varianty svých vlajkových telefonů pro Ameriku, Asii a Evropu. Odlišnosti jsou dány nejen specifickými sítěmi, které se v daných regionech používají, ale i použitými čipsety. Na největších trzích jako USA, Čína nebo Japonsko Samsung v telefonech používá Snapdragony od Qualcommu, ve zbytku světa včetně Evropy pak vlastní Exynosy.

Testy ukazují, že výkon není rovnocenný a Snapdragony mají navrch. Naposledy se to ukázalo u testů dvou variant Galaxy Notu9. Pravděpodobně to ale bude platit i u nadcházející generace Galaxy S10 a Note9. První předběžné testy provedl Anandtech a Exynos 9820 nestíhá na Snapdragon 855. V závislosti na testech ztrácí i 10 a více procent.

anandtech snapdragon 855 exynos 9820 1 Test ukazující výkon při surfování (zdroj: Anandtech)

Roli může hrát to, že telefony nemají finální firmware, takže ještě může dojít k optimalizacím. Anandtech navíc měřil jen procesorový výkon. Testy grafiky zatím neprováděl a tam mívají Snapdragony dlouhodobě ještě větší náskok. S preprodukčním firmwarem nemělo smysl měřit ani spotřebu, resp. výdrž zařízení. Avšak i v této oblasti byly Exynosy dříve horší.

ICTS24

anandtech snapdragon 855 exynos 9820 2 Výkon při úpravě fotek (zdroj: Anandtech)

Výkonnostní manko naopak začal vyrovnávat Huawei, který s čipem Kirin 980 v některých procesorových testech předčí i Snapdragon 855. Huawei je přitom jediný z výrobců, který nevyvíjí vlastní jádra, ale vychází z referenčních čipů ARMu.

Srovnání SoC od Qualcommu, Samsungu a Huaweie
Snapdragon 855 Exynos 9820 Kirin 980
hlavní jádra CPU 1× 2,8 GHz Kryo 485 Platinum (založeno na A76) 2× 2,7 GHz Exynos M4 2× 2,6 GHz Cortex-A76
střední jádra CPU 3× 2,4 GHz Kryo 485 Gold (založeno na A76) 2× 2,3 GHz Cortex-A75 2× 1,9 GHz Cortex-A76
úsporná jádra CPU 4× 1,8 GHz Kryo 485 Silver (založeno na A55) 4× 1,9 GHz Cortex-A55 4× 1,8 GHz Cortex-A55
GPU Adreno 640 Mali-G76 MP12 Mali-G76 MP10
výroba 7nm LPP 8nm LPP 7nm LPP