Hlavní navigace

Samsung: generace pamětí po DDR4 dorazí po roce 2020 s frekvencí 6,4 GHz

6. 9. 2015

Sdílet

 Autor: Redakce

Pamětem DDR4 to zabralo devět let, než se dostaly z rýsovacích prken ke komerčnímu nasazení, takže není divu, že již nyní se klíčoví výrobci zabývají příští generací pamětí. Něco málo o budoucnosti tohoto hardwaru odhalil Samsung na konferenci IDF.

Samsung post-DDR4 memory

Připravované paměti nemají zatím žádné specifické jméno a jsou jednoduše označovány jako post-DDR4 paměti. Cílovými sektory, na něž se zaměří, by měly být servery, stolní počítače a notebooky, což vyžaduje možnost šálování kapacity, výkonu, spotřeby a ceny. Mobilní zařízení poté zůstanou u LPDDR4 s předpokládaným přechodem na podobné paměti nového standardu. Zatímco zařízení vyžadující vysoký datový tok budou využívat paměti typu HBM.

Samsung post-DDR4 memory

Samsung odhalil pár předběžných cílů, které by měly paměti příští generace splnit. Efektivní frekvence by se měla pohybovat někde mezi 3,2–6,4 GHz, což při maximu umožní datovou propustnost až 51,2 GB/s. Předpokládá se také možnost budoucího navýšení maximální frekvence. Opět, jako v případě předchozích generací pamětí i DDR4, lze očekávat, že bude k dostání přehršel verzí s rozdílnými takty.

Kapacita paměťových modulů by se poté měla postupně zvýšit až k 32 GB, což je očekáváno až někdy ke konci životního cyklu nového standardu. K tomu samozřejmě musí být vyvinuty paměťové čipy s kapacitou 32 Gb, neboť standardní modul využívá osm paměťových čipů. Navyšování kapacity stejně jako zvyšování propustnosti je nezbytné pro serverový segment trhu, kde závratně rostou nároky na výpočetní paměť.

Samsung post-DDR4 memory

Nové post-DDR4 paměti by také měly využívat moderní 10nm nebo menší výrobní procesy, alespoň to slibuje Samsung. Již nyní jsou však očekávány potíže na fyzikální úrovni, v důsledku čehož se zvažují nové možnosti rozhraní a první ke slovu přichází světlo, je však možné že optické rozhraní se ke slovu dostane až s nějakou přespříští generací. Další novinkou by mohly být 2,5D či 3D čipy, ale vývoj nového standardu je zatím na samotném počátku. Pokud dojde k zásadní změně architektury, rozhraní či obojího, je možné, že dosud známá zkratka DDR (double data rate) se stane zastaralou a nahradí ji nějaké nové označení.

WT100

Samsung očekává první prototypy paměťových čipů příští generace někdy v roce 2018 a reálné nasazení někdy po roce 2020. Proces vývoje a schválení nového standardu je zdlouhavý a závisí na požadavcích trhu i na dostupných technologiích.

Zdroj: KitGuru