Korejský výrobce zahájil výrobu druhé generace „10nm-class“ pamětí pro mobilní zařízení. Opět neuvádí přesný výrobní proces, ale litografii zařazuje do třídy od 10 do 19 nanometrů. Má se za to, že předchozí generace čipů LPDDR4 z roku 2016 byla 18nm, ta nová zcela jistě bude menší.
Samsung totiž uvádí, že nové paměti v celém pouzdře budou mít o pětinu menší tloušťku a že spotřeba při stejném napětí klesla o 10 %. Nové čipy už navíc spadají do skupiny LPDDR4X, které se mohou přepnout do úsporného režimu s 0,6V místo 1,1V napětí, byť za cenu snížení propustnosti.
První 8GB LPDDR4X od SamsunguTa v základu činí 4266 Mb/s, což při 64bitové šířce dá 34,1 GB/s. Samsung čipy vyrábí v kapacitách 16 Gb (tj. 2 GB) a pod jedno pouzdro je bude vrstvit ve dvou, třech nebo čtyřech kusech. Celková kapacita pro mobily a tablety tak bude činit 4, 6 a 8 GB. Je možné, že právě úspornější 8GB paměť najdeme zanedlouho v telefonu Galaxy Note9.
Samsung již 10nm-class procesem nedávno vyrobil i první LPDDR5. Tahle generace paměti je ale zatím jen v plenkách bez dokončených specifikací, takže v praxi se s ní setkáme až za rok či dva.
ČLÁNKY DO MAILU