Spolu s otevřením továrny umístěné do Nano City Complex
v provincii Gyeonggi v Hwaseong oznámil i zahájení hromadné výroby prvních pamětí
typu DDR3 založených na výrobním procesu „20nm třídy“. Nová výrobní linka
umožní Samsungu rozšířit nabídku o 4GB, 8GB, 16GB a 32GB paměti typu DDR3
postavené na novém výrobním procesu už během příštího roku.
Teď to zkusíme rozklíčovat. Z bombasticky znějící zprávy
se totiž vyklube něco, co (alespoň zatím) neznamená zase tak velkou revoluci. Při
překladu z reklamštiny se označením „20nm class“ rozumí jakýkoliv výrobní
proces v rozmezí 20–29 nm, může to tedy být stejně dobře 22nm jako 28nm.
Kapacita kýžených 32 GB je opět tak spíše marketing (alespoň co se domácích uživatelů týče). V současnosti Samsung
vyrábí „20nm“ čipy DDR3 s kapacitou 2Gb (tedy 256 MB), koncem roku by měl
zahájit i výrobu 4Gb čipů, se kterými bude moci dosáhnout oněch kýžených 32 GB
na modul. Má to ale jeden háček – 4Gb čipy nejsou nic nového, samotný Samsung už
už je vyrábí
druhým rokem a stačil k tomu i 50nm proces. V domácích počítačích tedy můžeme zatím čekat nanejvýš 8GB moduly
(16× 512 MB), paměti o kapacitě 32 GB se pak objeví nejspíš jen v segmentu serverových
modulů. Dá se ale předpokládat, že se časem objeví i čipy s vyšší kapacitou a konečně se posuneme zase o něco dál.
Samsung v tomto měsíci zahájil také hromadnou výrobu NAND
flash pamětí s předpokládaným objemem výroby 10 000 dvanáctipalcových
wafferů měsíčně. V průběhu příštího roku chce zahájit výrobu pamětí
založených na „10nm class“ výrobním procesu.
Zdroj: Samsung
