Nové paměti DDR4 jsou schopné dosáhovat přenosových
rychlostí 2,133 Gb/s, což má být startovací rychlost nové generace pamětí
(předpokládaná horní hranice je zatím 4,266 Gb/s). Zatímco u ekvivalentních
30nm pamětí typu DDR3 je standardní napájení 1,35 V (DDR3L) a 1,5 V (DDR3),
pro napájení DDR4 stačí 1,2 V. Podle výrobce to má u notebooků v praxi znamenat
ve srovnání s běžnými 1,5V DDR3 až o 40 % nižší spotřebu pamětí.
S využitím nových technologií bude Samsung moci vyrábět
moduly DDR4 s přenosovou rychlostí 1,666 Gb/s do 3,333 Gb/s.
Nová generace pamětí by se podle současných odhadů měla na
trhu začít objevovat počátkem roku 2012.
Zdroj: TZ
Samsung
ČLÁNKY DO MAILU