Názor k článku Samsung na CES 2018 předvede paměti GDDR6. Slibuje frekvenci 16 GHz, 2× kapacitu od jojioo - Ja nevravím že nie. Samotný malý interposer v...

Ja nevravím že nie. Samotný malý interposer v EMIB je samozrejme lacnejší ako celoplošný interposer. 100mm2 silikón bude lacnejší ako 1000mm2 silikón vždy. Ale to je len cena pasívneho silikónu (bez tranzistorov) na pomerne starej technológii ktorá je predpokladám už celkom dobre zvládnutá.

Takže poukazujem na to, že Intel nám nevraví tie ďalšie náklady ktoré sú s tým spojené.

Ja neviem ako to vysvetliť. Napríklad: Máš pamäťový radič, pod ním EMIB doštičku ktorá ide k pamätiam a v porovnaní s celoplošným interposerom je lacnejšia.

Ale ten pamäťový radič potrebuje aj nejaké napájanie. To napájanie sa dnes vyvádza z krémíku rovno von čo najkratšou cestou, aby sa čo najskôr pripojilo na PCB s hrubšími vodičmi (nižšou rezistivitou). Preto je rozloženie pinov pomerne rovnomerné. A klasické interposery s tým nemajú problém.

Ale EMIB nepodporuje TSV, takže to napájanie musí byť vyvedené mimo neho. To si žiada zmeny návrhu čipu a za predpokladu že bol čip pred EMIB navrhnutý optimálne tak pridanie kovovej vrstvy na oddelenie vývodov ktoré môžu ísť do EMIB a tých čo tam nemôžu. (tá vrstva je určite podstatne drahšia ako celý interposer aj EMIB dohromady).

cena interposeru = veľký interposer + púzdrenie

cena EMIB = malý EMIB interposer - veľký interposer + púzdrenie + zmena návrhu čipu + potencionálne ďalšia kovová vrstva v čipe.

Ja neviem ako to bližšie vysvetliť, skúsim obrázkami?