Samsung vyrábí MLC NAND Flash paměti 30nm technologií už něco přes půl roku. Nyní si pro něj přichystal hned dvě vylepšení (momentálně navzájem se vylučující). První inovací jsou tříbitové paměťové buňky, které oproti běžným dvoubitovým významně zvyšují kapacitu na počet tranzistorů či jednotku plochy, laicky řečeno je stejná kapacita levnější.
Bohužel pro Samsung jeho novinka poněkud bledne ve srovnání s nejnovějšími MLC NAND Flash od Sandisku a Toshiby, které se mohou pochlubit čtyřmi bity na buňku (bits per cell). A naopak k jeho štěstí to není tak důležité, jak by se na první pohled mohlo zdát, neboť tento druh čipů bude používán pouze do flashdisků a paměťových karet. Konkrétně se Samsung nechal slyšet, že čtyřgigabajtové čipy bude společně s vlastními řadiči používat do microSD karet s kapacitou 8 GB. Do SSD se kvůli výkonu a spolehlivosti stále budou osazovat klasické 2bpc MLC moduly.
A právě tam, kde je potřeba lepší výkon, je určen druhý typ flash pamětí, které začal Samsung vyrábět 30nm technologií. Nové čipy s kapacitou 32 Gbit (4 GB) používají asynchronní DDR (double data rate) rozhraní. Dle slov výrobce dosahují rychlosti čtení až 16,6 MB/s oproti 5 MB/s u dnešních single data rate MLC pamětí, tedy trojnásobného zlepšení. DDR flash čipy mají nalézt uplatnění v kapesních přehrávačích hudby a videa, mobilních telefonech, dražších modelech paměťových karet nebo v solid-state discích.
Zdroj: DigiTimes
