Čipy, o nichž je řeč, mají kapacitu 8 Gb (tedy 1 GB), čímž Samsung opět o něco posunul maximální dostupné velikosti mobilních pamětí (Samsung a například také Hynix nyní nabízejí čipy LPDDR3 s „lichou“ kapacitou 6 Gb). V pouzdrech osazovaných přímo do přístrojů se obvykle nacházejí čtyři takovéto čipy, což umožňuje do jednoho „švábu“ vtěsnat celé 4 GB RAM. Samsung uvádí, že do sériové produkce by se 8Gb čipy LPDDR4 měly dostat ještě v průběhu roku 2014, takže do příštích Vánoc by se teoreticky mohly objevit i první telefony postavené na této technologii – tedy vybavené 4 GB operační paměti (a tou dobou již třeba i 64bitovým procesorem).
Výroba by měla probíhat na procesu třídy 20nm, přesnější údaj o stupni miniaturizace bohužel uveden není (může tedy jít o 20–29nm linky).
Paměti LPDDR4, 8Gb čipy (Samsung)
Čipy běží na efektivní taktovací frekvenci 3,2 GHz (JEDEC počítá i s LPDDR4 běžící efektivně na 4,26 GHz, ty však přijdou později). Pro provoz potřebují napájecí napětí 1,1 V, celkově mají i díky dalším úsporným technikám spotřebovávat až o 40 % méně elektřiny než LPDDR3. Zároveň nabízejí zhruba 50% nárůst propustnosti oproti současným nejrychlejším pamětem LPDDR3 (ty běží na 2133 MHz). Nicméně proti nejčastěji používaným čipům LPDDR3 na taktu 1600 MHz jsou 3,2GHz LPDDR4 pochopitelně až dvakrát rychlejší.
Větší výkon se má dle Samsungu uplatnit zejména u highendových mobilů a tabletů s obrazovkami o vysokých až šílených rozlišeních (včetně UHD čili 4K). Čipy by se teoreticky mohly uplatnit už v chystaném telefonu Galaxy S5, o čemž také některá média spekulují. Vzhledem k uvedení očekávaném na první polovinu roku by to asi bylo spíše překvapením; obojí ale vyrábí Samsung sám, což určitý prostor k velmi časnému uvedení LPDDR4 do praxe dává.
Paměti LPDDR4, 8Gb čipy (Samsung)
LPDDR4 již ale zřejmě nebude čistě výsadou telefonů a tabletů. Intel do procesorů generace Haswell začlenil podporu pro paměti LPDDR3, takže se tato úsporná technologie pomalu začíná prosazovat i v klasických noteboocích. Nové paměti LPDDR4 proto zřejmě dostanou podporu v některé z příštích generací čipů Intelu, nejspíše v ULV verzích 14nm čipů Skylake, které přijdou po Broadwellu.
Aktualizováno (2.1. 2014):
Samsung s pamětmi LPDDR4 nebude sám. Ještě v předvečer Silvestra ohlásil vlastní 8Gb čipy také Hynix. Jeho LPDDR4 bude také vyráběna procesem třídy 2X nm a její parametry jsou v podstatě totožné s tím, co oznámil Samsung (3,2 GHz efektivní takt, napětí 1,1 V). V prvních (dražších) telefonech by se taktéž měla objevit snad již před koncem roku 2014.
Zdroj: Samsung
