Korejský výrobce dnes představil svůj nejvýkonnější mobilní čipset Exynos 9 Series (8895). Je vyroben 10nm FinFET procesem, oproti Exynosu 8 přinese 27% nárůst výkonu a o 40 % nižší spotřebu. Parametry budou podobné jako u chystané konkurence. Ostatně Snapdragon 835 také vzejde z výrobních linek Samsungu. V SoC najdeme druhou generaci jeho vlastních procesorových jader Exynos M založených na instrukční sadě ARMv8. Čtyři vlastní výkonná jádra doplní čtyři úsporné Cortexy-A53. Velký upgrade čeká také grafiku. Samsung použil návrh Mali-G71 MP20. Oproti Mali-T880 MP12 šel výkon o 60 % nahoru. Korejci použili také vlastní sběrnici Samsung Coherent Interconnect propojující jednotlivé obvody. Mezi CPU a GPU bude sdílená cache, návrh přímo počítá s využitím heterogenních jader pro urychlení výpočtů umělé inteligence. V SoC najdeme ještě nový procesor pro počítačové vidění, který se bude starat o rozpoznávaní objektů, obrazový tracking nebo detekci pohybu. Jistě pomůže chystanému asistentovi Bixbymu, ale poslouží i při focení a točení videa.
Nový je též obrazový procesor. Duální ISP utáhne 28Mpx foťák vzadu i vepředu. Vzadu navíc může být kombinace 28Mpx a 16Mpx snímače. U Samsungu jsme zatím duální foťák neviděli, ale jistě také on tomuto trendu podlehne. Integrovaný videoprocesor umí točit i přehrávat videa v rozlišení 4K a se 120 snímky za sekundu. Poradí si s formáty H.265, H.264 a VP9.
V SoC je na rozdíl od Snadpragonu 835 integrován též modem s podporou LTE Advanced Pro (kategorie 16 pro downlink a 13 pro uplink). Pomocí funkce carrier aggregation umí sdružit pět různých pásem, teoretická rychlost stahování je až 1 Gb/s. Ve směru od mobilu k vysílači agreguje dvě pásma a rychlost je až 150 Mb/s.
Exynos 9 bude kombinován s pamětmi typu LPDDR4x. Pro připojení úložišť podporuje rozhraní UFS 2.1, eMMC 5.1 a SD 3.0. Displeje mohou mít rozlišení až 3840 × 2400 px nebo 4096 × 2160 px. Zde Samsung evidentně počítá s využitím pro virtuální realitu.
Čipy se již v továrnách vyrábějí, nasazení v jarním Galaxy S8 nic nebrání.
