Rok drahých pamětí se chýlí ke konci, bohužel je ale ve hvězdách, zda totéž platí i pro tento nepříjemný fenomén samotný. Víme sice již, že výrobci čipů DRAM konečně začali pracovat na větším zvýšení produkce, to však asi výrazně zasáhne až v roce 2019. Pod stromeček ale přišla alespoň jedna dobrá zpráva. Samsung totiž spouští výrobu pamětí DDR4 pro PC na novějším procesu, který by kromě výkonnějších čipů také měl trochu zmírnit nedostatek pamětí na trhu, který drahotu způsobuje.
Nový proces, o němž je řeč, by měl být prvním z druhé generace procesů „10nm třídy“ („1y“), což může znamenat cokoliv mezi 10 až 19 nm. Má se za to, že první generace Samsungu (označovaná „1x“) byla 18nm a tato druhá by patrně měla být 15nm či 16nm. Výroba na tomto novém procesu tedy zvedne hustotu čipů a díky tomu se z jednoho waferu bude dát vyrobit více čipů a vyšší celková kapacita měřeno na gigabajty. Továrny jsou obecně omezené na určitý maximální počet waferů za měsíc, z čehož vyplývá, že s přechodem na oněch 15/16 nm budou linky schopné vyrobit více pamětí i v absolutním měřítku. Samsung uvádí, že „produktivita“ výroby je až o 30 % lepší, což dává určitý příslib, že by skutečně mohlo dojít k malému zlepšení situace na trhu pamětí, až se nová generace začne ve větším množství prodávat.
3600MHz DDR4
Na této druhé generaci „náctkového“ procesu budou vznikat paměťové čipy DDR4 s kapacitou 1 GB (8 Gb). To znamená, že na nich bude možné založit 8GB a 16GB (oboustranné) moduly pro stolní počítače či notebooky (na snímcích, které Samsung ukázal, je modul SO-DIMM). Firma uvádí, že tyto čipy mají díky novému procesu a zřejmě i dalším zlepšením až o 15 % lepší energetickou efektivitu a o 10 % vyšší výkon. Údajně dokáží standardně běžet na 3600 MHz proti 3200 MHz u předchozí generace (v což se nepočítá přetaktování, jímž různí výrobci modulů už teď dosahují nad 4,0 GHz).
Je tedy určitá šance, že s rozšířením těchto čipů se stanou dostupnějšími také paměťové moduly na těchto vysokých frekvencích. Zajímavé by možná mohly být pro majitele procesorů AMD, jelikož právě čipy Samsung s nimi pracují nadprůměrně dobře a byly prvními, s nimiž se dalo dostávat na takty okolo oněch 3200 MHz. Nová generace Samsungu by tak možná mohla posunout hranice paměťových řadičů v Ryzenech směrem k oněm 3600 MHz, ovšem zatím nelze říci, zda třeba až u nové generace procesorů, které AMD teprve chystá, nebo i u první generace „1000“ z letoška. Samsung uvádí, že čipy již validovalo více výrobců CPU, což doufejme zahrnuje i AMD.
Vakuové mezírky kolem vodičů
Tyto paměťové čipy se stále vyrábí standardní optickou litografií (imerzní ArF proces), bez použití EUV. Samsungu se je údajně podařilo o něco zmenšit optimalizací systému, kterým se přenáší data z buněk (cell data sensing). Významným zlepšením by mělo být izolování bit lines, což jsou vodiče přenášející datový signál přímo z jednotlivých buněk, pomocí tzv. „air spacerů“. Zdá se, že kolem vodičů Samsung vytváří prázdný prostor, který snižuje nežádoucí parazitní kapacitu těchto vodičů (parazitní kapacita znamená, že se vodič chová jako kondenzátor, což zhoršuje vlastnosti pro přenos signálu – viz heslo na Wikipedii). Tzv. „airgap“ nebo „air spacer“ tento negativní jev omezuje, což zlepší schopnost pamětí pracovat s vyšší frekvencí a výkonem. Mimochodem, tuto technologii vyvíjí pro své potřeby také Intel, měl by ji mít v 14nm a 10nm procesu (volitelně, Cannon Lake údajně airgaps nevyužívá).
Mimochodem, tisková zpráva také uvádí, že korejský gigant, který je největším výrobcem DRAM, hodlá zrychlit plán na uvádění nových generací pamětí, mezi nimiž je jmenována DDR5, GDDR6 pro grafiky, LPDDR5 pro mobilní zařízení a také HBM3 pro výkonné procesory, GPU a FPGA. To samozřejmě neznamená, že se dříve dočkáme i produktů, které je budou využívat, časnější nástup výroby a dostupnosti by ale měl být obecně pozitivní věcí.
