Notebookové SSD pro slot M.2 jsou v zajímavé pozici tím, že používají značně výkonnější rozhraní, než mají „plnotučná“ desktopová SSD typu SATA. Disk s označením XP951, který na akci Samsung prezentoval, jde v tomto ohledu ještě dál. Jde vlastně aktualizaci modelu XP941, pozoruhodného tím, že pro připojení používá rovnou čtyři linky PCI Express. XP951 u tohoto uspořádání zůstává, navíc ale už místo PCI Express 2.0 podporuje i PCI Express 3.0, takže přenosová rychlost může teoreticky činit až 4 GB/s (desku s takto rychlým slotem má už nachystanou ASRock). Tak vysoko ale zřejmě typické výkony sahat nebudou, sekvenční čtení a zápis mají prý dělat 1,6 GB/s a 1,0 GB/s, v náhodném přístupu pak disk má zvládat 130 000 IOPS při čtení a 100 000 IOPS při zápisu. Na trh má tato novinka přijít poměrně brzy, zřejmě se však bude prodávat hlavně velkým výrobcům, takže sehnat samostatně ji asi nebude lehké.
Samsung SM953. M.2 přichází do datacenter
Tento formát by měl umožňovat značné zhuštění úložišť, jeden modul má mít spotřebu okolo 6 W
SSD formátu M.2 jsou zajímavé ještě kompaktností, a tuto vlastnost hodlá Samsung pro změnu vytěžit pro serverová úložiště. Pro ty vyvinul disk SM953. Díky rozměru 2,2 × 11,0 cm lze takovýchto modulů do určitého prostoru nashromáždit mnohem více než 2,5" disků. SM953 má údajně používat V-NAND jako SSD 850 Pro a vyrábět se bude v kapacitě 480 GB. Díky rozhraní M.2 mají rychlosti čtení dosahovat až 1,8 GB/s a výkonu by měla pomoci i podpora protokolu NVMe. Samsung slibuje 2 miliony hodin mezi poruchami a spolehlivosti by měly pomoci i záložní kondenzátory přímo na modulu. Kromě varianty M.2 jinak bude existovat i 2,5" typ, zřejmě se serverovým rozhraním SFF-8639.
SM1715. Výkonné SSD do slotu PCI Express ×4 3.0
Pro servery ale Samsung vyrábí také plnohodnotnou kartu PCI Express s označením SM1715. Opět podporuje protokol NVMe optimalizovaný pro SSD a v tomto případě už použité rozhraní PCI Express 3.0 ×4 možná přijde skutečně k duhu. Sekvenční přenosové rychlosti sice neznáme, karta má ale s kapacitami až 3,2 TB dosti příležitostí k rozkládání zátěže. Při náhodném čtení má díky tomu dosahovat až 750 000 IOPS, přičemž zápis má běžet až na 180 000 IOPS.
3D V-NAND se podívá i do levnějších disků. Chystá se SSD 850 Evo?
Samsung také novinářům prozradil jednu příjemnou novinu. Nová paměť V-NAND, které sklidila chválu v SSD 850 Pro, se totiž chystá i do levnějších cenových segmentů. Čipy použité v tomto dražším SSD jsou technologie MLC, ovšem Samsung již pracuje na variantě, která by běžela na principu TLC. Ten umožňuje dosáhnout vyšší hustoty záznamu a tím nižší ceny disku. V-NAND typu TLC zatím společnost oficiálně neoznámila, údajně tak ale hodlá učinit v budoucnu. V plánech Samsungu údajně figurují „SSD s vyšší kapacitou“ na bázi V-NAND snad už v horizontu příštího půl roku; mohlo by jít právě o tyto TLC disky. Možná se tedy dočkáme modelu SSD 850 či SSD 850 Evo už do Vánoc.
Paměť typu TLC je kvůli ukládání více bitů do jedné buňky méně houževnatá a také pomalejší v zápise než MLC. Nicméně vertikální NAND Samsungu má právě v těchto charakteristikách pomáhat, takže by mohla nectnosti TLC částečně vykompenzovat. S výdrží by mohl pomoci i fakt, že se V-NAND fakticky vyrábí na poměrně „velkém“ procesu – údajně na 40 nm. Je ale také pravda, že TLC disky Samsungu při běžném použití s výdrží podle všeho nemají reálné problémy, takže pokud jim přinese V-NAND nějaký hmatatelný přínos, bude to spíše v tom výkonu.
