Vzorky čipů, které Samsung představil v roce 2012 (a dostupné údajně byly začátkem letoška), měly kapacitu 2Gb (256 MB). Díky přechodu na pokročilejší výrobní proces mají nyní odhalené čipy již kapacitu 4Gb (512 MB) a lze na nich tedy postavit i větší moduly. Narostla zřejmě také přenosová rychlost pamětí. Jejich efektivní takt zřejmě činí 2666 MHz. Předchozí vzorky pracovaly ještě na 2133 MHz, což ve srovnání s dostupnou DDR3 není nic moc. Nyní již ale perspektiva DDR4 vypadá lépe.
Samsung startuje masovou výrobu pamětí DDR4
Co se výrobního procesu týče, Samsung použil oblíbený termín „v řádu 20nm“, což může znamenat cokoliv mezi 20nm a 29nm postupem, ale při nedbalém čtení to zní lépe (zvlášť, když v tiskové zprávě použijete tučné písmo pro 20nm a zbytek ponecháte jen tak). Zmíněná předchozí generace pamětí DDR4 ještě pocházela z výrobního procesu 30nm řádu, Samsung ale již tehdy avizoval, že komerční výroba bude probíhat na menším procesu.
Tyto paměťové čipy a na nich založené moduly jsou prozatím určeny pro servery, jelikož ani v mobilní sféře, ani v osobních počítačích se ještě přechod z DDR3 nechystá. Intel na DDR4 vsadí asi až u platformy Skylake, která přijde po Broadwellu, AMD plánuje novou technologii pamětí u APU Carrizo. Obojí bude záležitostí nejdříve roku 2015, ještě v roce příštím by se nicméně s paměťmi DDR4 mohl objevit highendový Haswell-E, odvozený od serverových Xeonů. V serverech jsou každopádně také únosné vyšší počáteční ceny pamětí, což je pro brzký přechod docela zásadní.
Samsung startuje masovou výrobu pamětí DDR4
Samsung počítá s výrobou 16GB a 32GB modulů, pochopitelně s ECC. To znamená až 72 čipů na modulu, pro osobní počítače se ale běžně používají moduly s osmi až šestnácti čipy, což by u 4Gb čipů znamenalo modely s kapacitou 4 a 8 GB.
Zdroj: Samsung
