Korejský výrobce na své konferenci Tech Day 2019 nepředstavil jen špičkový čipset Exynos 990 a nový 5G modem, ale také nový paměťový čip, který najdeme v zařízeních střední třídy. Zajímavý je hned ze dvou hledisek. Do mainstreamu přinese 12 GB RAM a součástí jednoho pouzdra jsou také NAND čipy pro úložiště (kapacitu neznáme).
Samsung toto řešení nazývá multichip package a vyrábí jej ve variantách uMCP a eMCP podle toho, jestli se úložiště připojuje rychlým rozhraním UFS, nebo pomalejším a levnějším eMMC.
Novinka vyrobená 10nm-class procesem (tedy něco mezi 10- a 19nm) má v jednom pouzdře čtyři DRAM čipy typu o kapacitě 24 Gb a úložiště připojené přes eUFS 3.0. Firma vyrobí i 10GB variantu, která kombinuje dva 24Gb a dva 16Gb čipy. Ve všech případech jde o typ LPDDR4X s propustností 4266 Mb/s. Velkovýroba již začala, v prvních produktech jej zřejmě najdeme začátkem roku 2020.
Doposud nejlepší uMCP od Samsungu měl 8 GB LPDDR4X (4266 Mb/s) a 128 či 256 GB paměti eUFS 2.1. Dá se očekávat, že kapacita úložiště bude u novinky stejná. Úložiště by ale mohlo být citelně rychlejší. Korejci už vyrobili eUFS 3.0 se sekvenčním zápisem 2100 a čtením 410 MB/s, což jsou zhruba dvojnásobnásobné hodnoty oproti nejlepším eUFS 2.1.
Zdroj: Samsung
