Samsung uvádí SSD 750 Evo. S planární 16nm TLC NAND, ale levné a rychlé

18. 2. 2016

V listopadu se na světě poněkud překvapivě (a možná neplánovaně) objevila nová řada disků Samsung SSD 750 Evo, položená pod výkonnější SSD 850 Evo, jež je založené na 3D NAND (Samsungem nazývané V-NAND) typu TLC. Samsung nyní tato SSD uvádí na trh oficiálně a mají převzít roli levných disků místo 120GB a 250GB modelů řady 850.

Disky 750 Evo budou vyráběné jen v kapacitě 120 a 250 GB pro rozhraní SATA, vyšší pozice přenechají svým bratrům s o stovku vyšším číslem. S těmi by měly sdílet stejný řadič (čip MGX od Samsungu, s integrovanou 256MB DRAM pro oba modely), zásadní rozdíl je však v použité NAND. Opět je typu TLC, ale místo V-NAND jako v SSD 850 Evo je použita planární, vyráběná 16nm procesem. To může znamenat nižší výdrž co do počtu přepisů. Ovšem výsledek by nemusel být nijak tragický – připomeňme, že planární TLC (19nm) měl SSD 840 Evo, který byl oblíbený (přinejmenším dokud se na něj neprovalil problém s degradací výkonu vyžadující periodické přepisování buňek).

Samsung SSD 750 Evo (Zdroj: The SSD Review)

SSD 750 Evo bude používat 16nm čipy o kapacitě 128Gb (16 GB), což umožňuje pohodlnou produkci disků s kapacitou 120 GB. Naproti tomu u řady 850 Evo zřejmě Samsung plánuje přechod na novou generaci V-NAND s 48 vrstvami, která budou poskytovat čipy o kapacitě 256 Gb (32 GB). Kvůli tomu bude muset patrně 120GB SSD 850 Evo zrušit, jelikož by disk měl obsazené jen čtyři kanály řadiče a kvůli nedostatečnému paralelismu špatný výkon. Uvolněná pozice tak bude zaplněna novým SSD 750 Evo.

Samsung SSD 750 Evo. Vnitřnosti jsou skutečně minimalistické (Zdroj: PC Perspective)

Ačkoliv reálně asi recenzenti nějaké změny naleznou (test má již například web PC Perspective nebo The SSD Review), podle papírových specifikací by SSD 750 Evo nemělo za „osmsetpadesátkou“ zaostávat. Rozdílný je dle Samsungu jen výkon náhodného zápisu při délce fronty 1 („queue depth 1“), který z 40 000 poklesl na 35 000 IOPS. Zbytek hodnot je jako u stejně velkých modelů 850 Evo. Sekvenční rychlost čtení 540 a zápisu 520 MB/s, 97/94 000 IOPS při náhodném čtení a 88 000 v zápise. Stejně jako u disků s V-NAND je rychlost zápisu podpořena použitím SLC cache pro zápis.

Drobné rozdíly jsou ve spotřebě. SSD 850 Evo má mít spotřebu při aktivitě 3,7–4,4 W (čtení/zápis). SSD 750 Evo má mít ve 250GB verzi spotřebu 2,4–2,8 W, u 120GB modelu je to jen 2,1–2,4 W. Klidová spotřeba má činit stejných 50 mW, jen v režimu DevSleep je o něco vyšší – 6 mW místo 2 mW u SSD 850 Evo. Poslední podstatnou změnou je zkrácení záruky, korespondující asi s lowendovým zařazením modelu. Místo pěti let je jen tříletá. Menší 120GB model má také jen poloviční objem garantovaného zápisu (35 TB), ovšem u 250GB modelu byl zachován téměř stejný (70 TB). Podle webu AnandTech ponechal Samsung diskům funkci šifrování, kterou řada levných SSD nemá, zde tedy budou mít konkurenční výhodu.

Doporučená cena za SSD 750 Evo je 55 dolarů za 120GB model a 75 dolarů za 250GB verzi. S daní by to u nás při dnešním kurzu znamenalo s daní 1620 a 2210 Kč, tedy o pár set korun pod cenou modelů SSD 850 Evo. Mělo by se tedy jednat o poměrně atraktivní modely, zejména pokud se reálně objeví i pod doporučenou cenou.