Mobily budou zase rychlejší, jak rád psával náš exkolega. Ovšem tentokrát ne díky novým procesorům, ale úložišti, které někdy na rychlost (a množství frustrace) u různých operací na telefonu může mít ještě větší vliv. Samsung totiž oznámil novou generaci miniaturních SSD ve formátu používaném právě v telefonech: UFS 4.0. Tato úložiště mají dosahovat rychlosti až 4200 MB/s, což mimochodem nezvládne ani PC, pokud nemáte PCI 4.0.
Poslední doteď používaná verze standardu UFS (Universal Flash Storage) byla UFS 3.1 z roku 2020, která přinesla zlepšení jako Host Performance Booster (ekvivalent HMB u NVMe SSD) a pseudoSLC cache zrychlující zápis, na které jsme už dlouho zvyklí u SSD pro PC. Generace UFS 3.0 a 3.1 podporovala rychlosti čtení a zápisu až 2,32 GB/s.
Samsung teď oznámil své první úložiště patřící už do nové generace UFS 4.0, která by podle něj již měla být schválená konsorciem JEDEC, i když na jeho webu ještě oznámená není (nicméně výrobci už o ní hovoří, UFS 4.0 chystá také Kioxia).
Zatímco UFS 3.0 a 3.1 používaly pro propojení do systému dvě linky MIPY M-PHY v4.1 s přenosovou rychlostí 11,6 Gb/s, nové UFS 4.0 má linky dvojnásobně rychlé. Je použita fyzická vrstva MIPY M-PHY v5.0, počet linek je ale zachován na dvou. Na jednu linku to je tedy nyní 23,2 Gb/s a celkově 46,4 Gb/s.
UFS by mělo používat kódování 8b/10b, takže přenosová kapacita rozhraní je 4,64 GB/s – o nějakou čtvrtinu lepší než to, co lze dosáhnout u NVMe SSD s rozhraním PCIe 3.0 ×4 nebo PCIe 4.0 ×2 (pro ty je maximum cca 3600–3700 MB/s). Na to, že je to určené pro telefony, docela dobrý potenciál.
Rychlost vyšší než desktopová SSD před generací PCIe 4.0
Ono právě ohlášené první úložiště UFS 4.0 od Samsungu to také umí využít. Tento „disk“ v jednom pouzdře BGA dosahuje údajně rychlosti sekvenčního čtení 4200 MB/s – může tedy být rychlejší i než ta trošku starší špičková SSD pro PC, která ještě nepoužívala PCIe 4.0. Jako třeba Samsung 970 Pro nebo Evo. Se zápisem už je to trochu horší: Samsung uvádí rychlost sekvenčního zápisu až 2800 MB/s. Údaje o IOPS zmíněné nejsou a je pravděpodobné, že v těch už pravděpodobně klasické NVMe moduly budou lepší.
Velikost tohoto úložiště je jen 11 × 13 mm, na PCB je tedy velmi drobné, ovšem může obsahovat úložnou kapacitu až 1 TB. Založeno je na 7. generaci V-NAND od Samsungu, což jsou čipy se 176 vrstvami, momentálně nejmodernější, které má korejský koncern v sériové výrobě.
Tyto paměti mají zařízení dodávat vysokou efektivitu. Energetická efektivita při čtení dat z úložiště je údajně až o 46 % lepší než u předchozí generace UFS 3.1 úložišť od Samsungu. Generace UFS 4.0 má prý zvládat přenášet až 6,0 MB/s na jeden miliampér spotřebovaného proudu. Pokud aplikace čte nějaký konstantní objem dat, pak by s tímto úložištěm měla spotřebovat méně energie, a tudíž by se měla zlepšit výdrž na baterii, ačkoliv je možné, že maximální dosažená spotřeba při oné 4200MB/s rychlosti může být vyšší než u pomalejších UFS 3.1.
Tato úložiště by také měla obsahovat bezpečnostní technologii Replay Protected Memory Block, která umožňuje uložit a číst data se zvláštní ochranou proti neautorizovanému přístupu a proti smazání. Tato zóna by měla být použitelná pro uložení dat, která mají být chráněná proti manipulaci.
Přímo v prodeji tato nová generace ještě není, Samsung ji oznamuje v předstihu. Sériová výroba bude běžet od třetího kvartálu roku, takže by se snad tato novinka mohla objevit ve vlně highendových telefonů, které vychází ke konci roku nebo na začátku toho následujícího.