Samsung začal masovou produkci 32GB DDR4 modulů, SK Hynix ukázal nové NVDIMM

22. 10. 2014

Sdílet

 Autor: Redakce

Samsung začal s masovou produkcí dosud nejpokročilejších paměťových čipů na 20nm výrobním procesu.

Jednotlivé čipy mají kapacitu 8 gigabitů, tedy 1 GB. Do sériové výroby se právě dostávají DDR4 moduly, které obsahují 32 těchto kousků a jejich celková kapacita je tak 32 GB. Moduly jsou určeny do podnikového sektoru, respektive do serverů.

Výroba tak doplní už představené 20nm čipy s nižší kapacitou, kterými jsou 4Gb čipy pro DDR3 a 6Gb čipy LPDDR3 určené pro ultra mobilní zařízení. Nové moduly budou pracovat na frekvenci 2400 MHz při napětí 1,2 V.

 

S paměťovými novinkami přispěchal i SK Hynix, který dokončil vývoj zatím nejpokročilejších NVDIMM (Non Volatile DIMM) modulů s kapacitou 16 GB. Jde o paměťové moduly, které si zachovávají data i při nečekaném výpadku elektrického napájení.

Moduly používají 32 čipů DDR4 s kapacitou 4 Gb, které jsou vyrobeny na 20nm výrobním procesu. Paměti jsou schopné při výpadku proudu rychle zaslat data do svých vlastních NAND flash čipů s dvounásobnou kapacitou, kde jsou bezpečně uchovány až do obnovení napájení. Paměť se při běžné práci chová jako klasický DDR4 modul s frekvencí 2133 MHz a propustností 17 GB/s (1,2 V).

bitcoin_skoleni

Masová produkce těchto 16GB hybridních modulů by měla začít začátkem příštího roku.

Zdroj: TechPowerUp (1, 2)