V poslední době nebyl vývoj na trhu s operační pamětí zrovna příznivý. Ještě dlouho budeme čekat na příchod nového standardu DDR4, a navíc ceny stávajících pamětí DDR3 během roku 2013 zdražily prakticky na dvojnásobek. Alespoň malou útěchou nám může být, že stále ještě dochází k pokrokům v jejich výrobním procesu. V těchto dnech oznámil Samsung (jeden z hlavních výrobců DRAM), že začal vyrábět paměti DDR3 na 20nm výrobním procesu. Ten by měl přinést lepší výkon či spotřebu a doufejme i alespoň nějaké zmírnění cen pamětí.
Na 20nm procesu začal nyní Samsung vyrábět čipy typu DDR3 o kapacitě 4 Gb (512 MB) – při použití osmi či šestnácti čipů z nich tedy lze vyrábět 4GB a 8GB moduly. Paměť z 20nm procesu má umožňovat omezení spotřeby o 25 % ve srovnání se srovnatelnými moduly s čipy z předchozího 25nm procesu. Díky přechodu na menší tranzistory či dalším zlepšením má mít 20nm výroba o 30 % větší produktivitu než 25nm proces a ve srovnání se staršími procesy 30nm třídy (30-39 nm) došlo prý k více než dvojnásobnému zlepšení. Zda se ale tato zvýšená produktivita promítne do cen není ale bohužel samozřejmé – výrobci totiž o nějaké snižování cen nestojí.
Paměti DDR3 vyrobené Samsungem na 20nm procesu
Zatímco paměť NAND se dnes běžně vyrábí na procesech tzv. 10nm třídy (obvykle to znamená 19 nm), výroba DRAM je komplexnější, takže start 20nm výroby přichází později. Samsung používá optickou litografii s ultrafialovým laserem na bázi argonu a fluoru. Aby byla dostatečně jemná, musí ale Samsung používat dvojitou expozici. To sice výrobu komplikuje, Samsung díky tomu ale může zužitkovat stávající vybavení místo toho, aby musel použít světlo o nižší vlnové délce. Na základu této technologie má být také eventuálně možné rozvinou výrobu na dalších stupních menších než 20 nm.
Díky velmi tenké dielektrické vrstvě tvořící kondenzátory jednotlivých buněk mají 20nm paměti umožňovat zřejmě i vyšší výkony. V současném stádiu životního cyklu pamětí DDR3 však zřejmě nebudou zlepšení v rychlostech příliš podstatná a daleko spíš se uplatní snížení spotřeby, umožňující o něco vylepšit výdrž notebooků či mobilních zařízení na baterii.
Doufejme, že 20nm výroba paměťových čipů posléze alespoň zmírní vyšší cenu přicházející technologie DDR4. Ta se sice ještě nechystá do běžných desktopových a notebookových platforem, již na sklonku letoška by jí ale mohly začít používat procesory Haswell-E určené pro příští generaci highendového socketu LGA 2011.
Zdroj: Samsung
