Zdroj: SamsungTomorrow.com
LPDDR4 budou již vyráběné na 20nm procesu (namísto 28 nm u LPDDR3), což by mělo přinést zvýšení výkonu, snížení spotřeby a v neposlední řadě také celkové zmenšení a lepší integraci do miniaturních zařízení. Všechny LPDDR4 budou pracovat na napětí 1,1 V, což jistě nepřinese anoncovanou 40% úsporu energie oproti 1,2V LPDDR3. Na snížení se podílí menší počet čipů potřebných k osazení modulu a údaj se čtyřiceti procenty se konkrétně vztahuje k 2GB modulu.
Podstatný rozdíl však bude v samotné rychlosti přenosů, která bude dvojnásobná. Namísto 1600 Mb/s byla totiž přenosová rychlost navýšena na 3200 Mb/s. LPDDR4 budou představeny začátkem ledna na CES 2015 v Las Vegas.
Zdroje: TechPowerUp, SamsungTomorrow