Bližší detaily ale Qualcomm zatím tají. O počtu nebo typu jader CPU či GPU nic nevíme. V prvních produktech se Snapdragon 835 objeví v první polovině roku 2017. Novinky by mohly být představeny už začátkem ledna na CESu nebo na přelomu února a března na MWC.
Qualcomm a Samsung společně představují Snapdragon 835 (foto: Qualcomm)
V novém Snapdragonu bude implementována rychlonabíjecí technologie Quick Charge 4, která by oproti třetí generace měla nabíjení zrychlit až o 20 %. Podle interních testů s 2750mAh akumulátorem bude díky QC4 možné za pět minut nabít telefon tak, aby se výdrž prodloužila o pěti hodin.
Z nuly na padesát procent kapacity se akumulátor nabije za 15 minut. To vše při teplotě do 40 °C. Qualcomm nasadil několikastupňovou ochranu proti přehřátí i lepší komunikaci mezi nabíječkou a mobilem pro doručování vhodného výkonu. Nová technologie by měla také zvýšit životnost akumulátorů.
Quick Charge 4 je konečně kompatibilní s USB-C a USB Power Delivery. Stále jde o proprietární technologii, která neřeší fakt, že existuje snad deset typů rychlonabíjení. Alespoň už ale nebude porušovat specifikace USB-IF, které stanovují použitelný proud, napětí a datový protokol. V praxi by to mělo znamenat, že nabíječka s QC4 bude bezpečná a použitelná i pro jiná zařízení.
Google už v novém dokumentu Android 7.0 Compatibility Definition říká, že u USB-C silně doporučuje nepoužívat proprietární metody a že v budoucnu bude povinné u všech zařízení používat řešení kompatibilní s USB Power Delivery. Tohle by tedy QC4 měl splňovat.
