Docela divoká zpráva se minulý týden vynořila ze světa pamětí NAND Flash, používaných v SSD, ale i ve většina dalších elektronických zařízeních potřebujících trvalé úložiště. Společnost Micron Technology, vyrábějící paměti DRAM i NAND (a také 3D XPoint v společném podniku s Intelem) totiž podle údajných uniklých informací chystá nový typ NAND, který by místo zápisu TLC či QLC opět používal hustější záznam s horší výdrží – a to rovnou OLC.
Po QLC, což znamená čtyři bity na buňku, by normálně – pokud na něj vůbec dojde – měl následovat zápis patrně označený PLC, tedy ukládající pět bitů do jedné buňky. Web WCCFtech ale přišel se zprávou, že Micron chystá rovnou osm bitů na jednu buňku, což by se snad jmenovalo OLC (Octal Level Cell). Zní to neuvěřitelně, ale webu WCCFtech to údajně řekli zdroje ze dvou partnerských firem, které NAND od Micronu odebírají a patrně by tak těmto informacím mohly reálně přijít.
Na druhou stranu WCCFtech nemá zrovna dobré renomé, a proto je tuto jeho zprávu třeba brát s hodně velkou rezervou. Například mohlo při jejím výkladu dojít k nějaké chybě, když už pomineme možnost, že vznikla nějakou dezinformací nebo si ji někdo dokonce rovnou vymyslel.
Taková OLC je totiž problematičtější, než se může na první pohled zdát. Asi víte, že s tím, jak se do buňky zapisuje více bitů najednou, klesá výkon, ale hlavně kvalita uloženého signálu a výdrž buňky – TLC NAND přežije méně zápisů než MLC a u QLC je to opět horší než u TLC. Problém je však v tom, že opotřebení a životnost se nezhoršují lineárně. Zakódování určitého počtu bitů je do NAND realizováno pomocí napětí uloženého v buňce. Dva bity představují čtyři možné úrovně napětí, které je třeba rozlišit, tři bity (TLC) už osm a čtyři bity (QLC) šestnáct úrovní. Tolik úrovní už od sebe není snadné odlišit, buňka musí být robustnější, ECC algoritmy jsou náročnější. Každý další bit totiž zhoršuje problém dvojnásobně.
One doesn´t simply walk into OLC
Z tohoto vyplývá, že OLC ukládající do jedné buňky už osm bitů by nebyla dvakrát horší než QLC, ale rovnou šestnáckrát problematičtější. Takovýto zápis by musel v buňce rozlišit 256 úrovní napětí! Čistě v poměru k 16 u paměti QLC se to nezdá být zrovna snadný úkol. Přitom u pamětí QLC se uvádělo, že zpočátku měly poměrně špatnou životnost a tím i nijak dobrou cenu proti TLC. Pokud rozjetí této technologie bylo těžké, o to těžší by měla být hypotetická OLC. Podle toho, co WCCFtech píše, by snad tato technologie měla být uvedena už letos nebo příští rok, což opět zní dost podezřele.
Pokud tedy tyto paměti nejsou určené třeba k úplně jednorázovému zápisu (i tam by ale byla otázka, zda by napětí vyžadující takto jemné rozlišení nezdegradovala za příliš rychlý čas), pak je asi dost pravděpodobné, že tato zpráva je omylem. Nebo že je zde nějaká jiná komplikace – například že by ona OLC nemusela být založená na NAND, ale na jiné technologii – třeba robustnějším 3D XPointu (zda by se to cenově vyplatilo proti TLC/QLC NAND, toť ale taky otázka).
Zde je třeba upozornit, že zpráva WCCFtechu obsahovala i spekulaci o tom, jaký by OLC mohla mít vliv na cenu akcií Micronu, které loni padly o polovinu proti svým rekordům z doby drahých pamětí. Tato úvaha, podle níž za pádem stály paměti QLC (což není pravda, problémem je vývoj cen pamětí) sice nedávala moc smyslu, ale možná je určitým varováním, že tyto drby či spekulace o OLC NAND mohly teoreticky někde vzniknout právě jen za účelem manipulovat akciovým trhem. Peníze bych tedy na tuto zprávu nesázel a jak už bylo řečeno, berte ji se zdravou skepsí. Pokud by Micron OLC skutečně vydal, nebudeme tedy úplně překvapeni, ale jak už bylo řečeno, fyzikální zákonitosti tomuto nápadu budou klást hodně velké překážky.
