Toshiba a Hynix spolupracují na výrobě MRAM

13. 7. 2011

Magnetorezistivní pamět je jednou z technologií, které slibují být svatým grálem počítačových pamětí: rychlé jako SRAM či DRAM, schopné uchovat data i bez napájení, s výdrží neomezeného počtu zápisových cyklů, a přitom relativně levné (jedním z jejích vážných soupeřů je např. phase-change memory). Buňka MRAM se (zjednodušeně řečeno) skládá vrstvy z permanentního magnetu, izolační vrstvy a vrstvy z magneticky měkkého materiálu, jejíž polaritu lze měnit. Je-li shodná s permanentním magnetem, má buňka nižší elektrický odpor, než když je polarita opačná.

Různé společnosti se vývoji MRAM věnují už od poloviny 90. let minulého století a sem tam uvedou na trh hotový produkt, občas se MRAM uplatní v nějakém specializovaném zařízení (jako např. v japonské družici SpriteSat), masového rozšíření do spotřební elektroniky se ale jen tak nedočkáme.

Přesto vývoj s nadějí do budoucna pokračuje. Toshiba se nyní za účelem vývoje a výroby (hlavně ale vývoje) spin-transfer torque (STT) MRAM dala dohromady s korejským Hynixem. Obě společnosti mají už s MRAM nějakou historii: Toshiba dříve spolupracovala s NECem, Hynix zase se Samsungem. Toshiba věří ve velký potenciál MRAM, netroufá si ale ani na hrubý časový odhad, kdy s Hynixem upeče hotové produkty.

Brzy to rozhodně nebude, Toshiba na tom ostatně ani nemá eminentní zájem. Tento týden firma Flash Forward, společný podnik Toshiby a Sandisku, otevřelo novou továrnu na výrobu NAND Flash čipů. Taktéž tento týden se otevírají dvě nová výzkumná střediska, která mají za cíl vylepšovat klasické pevné disky. Toshiba v tom opět není sama; v prvním středisku bude společně s výrobcem ploten Showa Denko hledat, jak překonat bariéru hustoty zápisu, kterou dovoluje současná technologie kolmého zápisu. Druhé centrum vzniklo ve spolupráci s TDK a bude se zabývat odolností pevných disků a vývojem nových výrobních technologií.

Zdroj: TechConnect Magazine, X-bit labs