U těchto 256Gb čipů BiCS bude použit stejný počet vrstev, v nichž bude čip ukládat data jako u 128Gb verze, tedy 48. Není úplně jasné, jak přímým derivátem je TLC verze ve vztahu k dřívějším MLC čipům. Kromě změny zápisu na tříbitový zřejmě také vzroste plocha čipu, nicméně to bude kompenzováno zdvojnásobenou kapacitou, takže výsledná cena za gigabajt by měla být lepší. Jakou generací litografického procesu Toshiba se Sandiskem svou 48vrstvou paměť vyrábějí, není známo. Je ale pravděpodobné, že půjde o relativně starší proces 30–40nm třídy.
Tyto paměti se mají začít vyrábět v továrně Fab 2 Toshiby, v tuto chvíli by již zde měla běžet pilotní výroba, z níž by měly vzejít první vzorky 256Gb čipů během září. Masová výroba zde pak má začít příští rok, takže v prvních SSD se tyto čipy ještě hodnou chvíli neobjeví (čekal bych je spíše až v druhé polovině roku). SanDisk by se měl přidat zhruba ve stejném čase a do konce roku 2016 by už chtěl běžně prodávat produkty na těchto 48vrstvých čipech typu TLC založené. Do jejich příchodu tedy zbývá něco okolo jednoho roku.
BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby
Příchod 256Gb čipů s určitými výhradami znamená, že se s podobným PCB a řadičem dá vytvořit SSD s dvojnásobnou kapacitou. Eventuálně tedy s těmito 3D pamětmi budeme vídat 2TB nebo i 4TB disky, případně větší kapacity v enterprise segmentu. Dostupnost těchto kapacit bude ale samozřejmě limitována cenou, která se nesníží přes noc, takže mainstreamem budou asi ještě dlouho spíše modely o velikostech 128–512 GB. K nějakému mírnému a postupnému poklesu cen by ale nástup vysokokapacitních 3D čipů (zejména těch typu TLC) vést měl.
Podobnou technologii již oznámil také SK Hynix, Intel s Micronem (tyto společnosti mají pro výrobu NAND utvořen společný podnik IMFT) a samozřejmě též Samsung. Ten vrstvenou NAND dovedl do komerčního nasazení jako první (v současnosti má její druhou generaci například v discích SSD 850 Pro a 850. Evo) pod značkou V-NAND.
