Na International Solid-State Circuits Conference, která se koná v San Francisku, představila Toshiba svůj nový prototyp FeRAM, tedy „ferroelectric RAM“. Toshiba na vývoji této technologie pracuje už delší dobu: před třemi lety společně s NEC představila první prototyp. Ten letošní je ale větší, rychlejší, a zkrátka použitelnější.
Ferroelectric RAM je další typ paměti, které kombinují vysokou rychlost a zároveň schopnost udržet data i bez napájení. Vzorek, který Toshiba předvádí na ISSCC 2009, prý poskytuje teoretickou propustnost 1,6 GB/s. Pracuje při napětí 1,8 voltu a jeho kapacita je 128 Mbit (16 MB), což je zřejmě částečně dáno použitým 130nm výrobním postupem. Pokročilejší výrobní proces by jistě umožnil kapacitu zvýšit, i tak se ale Toshiba může chlubit největším a nejvýkonnějším FeRAM zařízením, jaké kdo kdy vyrobil.
FeRAM od Toshiby má také jednu nespornou výhodu: čip totiž funguje jako standardní DDR2 zařízení a není tedy nutné pro něj navrhovat nový řadič. Toshiba věří, že FeRAM najde uplatnění v různých mobilních zařízeních. Není však známo, kdy se nový typ paměti začne vyrábět ve velkém.
Zdroj: Toshiba
ČLÁNKY DO MAILU