Odpověď na názor

Buňka QLC musí rozlišit 2× víc hodnot napětí (16 proti 8 u TLC), aby úspěšně udržela data. Při opotřebení je problém s tím, že to udržení napětí je čím dál méně spolehlivé, vznikají odchylky. Ten dopad na to, po kolika přepisech je ještě buňka použitelný, i logicky musí ale být větší než 2×.

5× jsem střelil od boku jako takový konzervativní odhad. Rozdíl 2× je moc málo, rozdíl řádu (10×) už se zase neodvážím tvrdit jen tak na základě předpokladů/intuice.

Před lety, když se teprve začínalo přecházet na TLC, tak se uvádělo, že rozdíl není 2×, ale spíš tak jeden řád, například kdysi dávno se udávala životnost řádově 100 000 cyklů pro SLC, 10 000 cyklů pro MLC a 1000 pro TLC. Pak jak jsme se blížili k limitům planárních procesů (15nm NAND...), tak už se uvádělo jenom 30 000/3000/300, ale nasazení LPDC ECC tu výdrž planární TLC zase o dost zvedlo - lepší ECC algoritmus zrekonstruuje data i při častějším výskytu chyb, s nímž při slabších ECC metodách už byly buňky považované za příliš nespolehlivé. Tehdy se uvádělo, že to LPDC dovolilo až 2×-3× delší požívání TLC, i když i s tím to pořád nebylo nic moc.

Naštěstí pak přišla 3D NAND a výrobní proces se z pohledu miniaturizace vrátil o řadu generací zpátky, takže proti poslední generaci planární NAND ta efektivní výdrž asi hodně stoupla (což pak vytvořilo prostor pro použití QLC, které zase to zlepšení výdrže sežralo :)

Čili když v době nejhorší planární technologie TLC NAND došla až k životnosti cca 300 cyklů, tak s pomocí LPDC a dobré 3D technologie věřím, že by dneska mohla mít TLC až 2500-3000 cyklů nebo víc.